• 状态 Resolved
  • 已锁定 已锁定
  • 个回复 6 个回复
  • 名订阅用户 0 名订阅用户
  • 次查看 218 次查看
  • 用户 0 名在线用户
选项
选项
相关

This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] DRV8305-Q1EVM：保护 MCU 免受过压影响

admin
Guru**** 1791630 points
Other Parts Discussed in Thread: DRV8305-Q1, DRV8305-Q1EVM, DRV8305
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/954254/drv8305-q1evm-protection-the-mcu-from-over-voltage

器件型号：DRV8305-Q1EVM
主题中讨论的其他器件：DRV8305-Q1、

您好！

我在 DRV8305-Q1EVM 原理图的第4页的电机和 BEMF 感测部分中有疑问。 使用了三个肖特基二极管 D11、D12和 D13来保护 MCU 免受过压(>3.3V)影响。 这些肖特基二极管连接在 VSEN A/B/C 和 VREG/VREF (DRV8305-Q1的引脚48)之间。 我的问题是 VREG/VREF 连接到 DRV8305-Q1中的内部 LDO、无法灌入电流。 如果 BEMF 电压超过45V、则电流将流经这些肖特基二极管流向 VREG/VREF、这会损坏 LDO。 请问我的理解是否正确？

我解决此问题的方法是将这些肖特基二极管替换为三个3V3齐纳二极管、并将其放置在 VSEN A/B/C 和 GND 之间。 您能评论一下我的方法吗？

谢谢、

John

  • 0
    TI__Guru**** 1791630 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    John、

    您能否向我们展示一个简短的原理图或方框图、以展示您的主张？ 我想确保我理解正确。

    此致、

    -Adam

  • 0
    TI__Guru**** 1791630 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Adam：

    随附的 DRV8305-Q1EVM 原理图。

    谢谢、

    Johne2e.ti.com/.../DRV8305_2D00_Q1EVM_5F00_SCH.PDF

  • 0
    TI__Guru**** 1791630 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    John、

    您提到的 schotkey 二极管仅用于保护分压器不超过3.3V 并损坏 MCU。 由构成分压器顶部的62k Ω 电阻器将流经二极管的电流限制为小于1mA。

    由于62k 串联电阻器的电流限制、VREG 不应被提升。  

    如果需要、也可以使用3.3V 齐纳钳位方法接地、这种方法也应该起作用。

    此致、

    -Adam

  • 0
    TI__Guru**** 1791630 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Adam：

    感谢您的回复。 我知道流经肖特基二极管的电流略小于1mA。 正如您所说、由于电流较小、VREG 不应被泵入。 但我仍然好奇1mA 电流会流向何处、因为连接到 LDO 的 VREG 无法灌入电流。 这是否意味着 LDO 可以灌入高达1mA 的电流而不会造成损坏？

    如果可以、您能否讨论设计参考中使用的肖特基方法与齐纳二极管方法相比的优缺点？

    再次感谢、致以诚挚的问候、

    John

  • 0
    TI__Guru**** 1791630 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    John、

    在理想情况下、LDO 可能无法灌入电流、但在肖特基二极管导通的罕见机会下、我们最关心如何保护 MCU、也不担心 LDO 是否被泵送。

    肖特基方法与齐纳方法由您决定、两者都有优势。

    此致。

    -Adam

  • 0
    TI__Guru**** 1791630 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Adam：

    非常感谢。

    此致、

    John