在 DRV8328和 DRV8329栅极驱动器器件中，外部 MOSFET 的漏源电压(VDS)压摆率将取决于外部 MOSFET 栅极的控制速率。 这些栅极驱动器的上拉/下拉强度在内部是固定的、因此可以使用外部串联栅极电阻器来控制每个栅极电压的压摆率。 在某些应用中、作为栅极驱动器器件上负载的 MOSFET 的栅极电荷显著大于栅极驱动器峰值输出电流能力。 在此类应用中、外部栅极电阻器可以限制栅极驱动器的峰值输出电流。 外部栅极电阻器还用于抑制振铃和噪声。
MOSFET 的具体参数、系统电压和电路板寄生效应都会影响最终的 VDS 压摆率、因此通常选择外部栅极电阻器的最佳值或配置是一个迭代过程。 为了帮助计算精度为+/-30% 的近似栅极电阻值、请使用 BLDC 栅极电阻计算器。
图1 -栅极电阻计算器工具
为了降低栅极驱动电流、可在栅极驱动输出端放置一个串联电阻器 RGATE、以控制拉电流和灌电流路径的电流。 单个栅极电阻器具有相同的栅极拉电流和灌电流路径、因此较大的 RGATE 值将产生类似的 SHx 压摆率。 请注意、栅极驱动电流会因器件的 PVDD 电压、结温和工艺变化而变化。
图2 - 具有串联电阻的栅极驱动器输出
通常、建议灌电流是拉电流的两倍、以实现从栅极到源极的强下拉、从而确保 MOSFET 在另一个 FET 开关时保持关断状态。 通过将二极管和灌电阻器(RSINK)与源电阻器(RSOURCE)并联、为拉电流和灌电流提供单独的路径、可以以分立方式实现此目的。 使用相同的拉电阻器和灌电阻器值会导致灌电流路径的等效电阻减半。 与拉电流相比、这将产生两倍的栅极驱动灌电流、而 SHx 在关断 MOSFET 时的压摆速度将是前者的两倍。
图3 - 具有单独拉电流和灌电流路径的栅极驱动器输出
