[参考译文] DRV8908-Q1 OLD 故障

您好！

DRV8908-Q1没有系统级 ESD 保护。  需要为这种类型的测试添加外部保护。  在没有保护的情况下使用系统级 ESD 冲击测试器件是不合理的或不建议的。  器件很容易损坏。

https://www.ti.com/lit/an/slyt492/slyt492.pdf

此致、

Ryan

您好、kehr、

感谢您的回答。  由于 nSLEEP 信号会受到影响、因此该问题将得到解决、并在 ESD 问题中重新初始化芯片。

 我还有一个问题、我们使用4块 drv8908_Q1芯片、4块芯片使用相同的 CLK、MOSI、MISO、但 drv8908_Q1的4个 CS 是 不同的 GPIO。

我们需要将初始化4芯片一起以减少初始化时间、

如果我们可以同时启用4芯片的 nSCS 引脚，那么将4芯片的寄存器一起写入？

如果我们这样做，如果 SDO 引脚在1个芯片的 SDO 为高电平时损坏，而另一个芯片由于4个芯片 的异步 应答而为低电平时损坏？ 谢谢！  

您好、 Rayn

   我的原理图已决定 使用4个 CS 引脚、但没有  链特性。  

现在，我想节省 初始 化时间，当 MCU 设置 CS 为低电平时，MCU 是否 可以按顺序写入3个寄存器？  换句话说、MCU 将 CS 设置为低电平、MCU 首先写入寄存器并读取 SDO 数据、然后 写入第二个寄存器并读取 SDO 数据、然后 写入 第三 个寄存器并读取 SDO 数据、最后将 CS 设置为高电平？   这种方法是否可行？

谢谢。

您好、 Rayn

   我的原理图已决定 使用4个 CS 引脚、但没有  链特性。  

现在，我想节省 初始 化时间，当 MCU 设置 CS 为低电平时，MCU 是否  可以按顺序写入3个寄存器？  换句话说、MCU 将 CS 设置为低电平、MCU 首先写入寄存器并读取 SDO 数据、然后 写入第二个寄存器并读取 SDO 数据、然后 写入 第三 个寄存器并读取 SDO 数据、最后将 CS 设置为高电平？   这种方法是否可行？

谢谢。

您好、  Ryan

 再次感谢您。 我还有一个问题，对于斜率控制寄存器(地址为0x1d)， 当 MCU 设置为0xff 时 ，输出压摆率比默认值快(设置为0x00时)，对吧？