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[参考译文] DRV8908-Q1 OLD 故障

Guru**** 678420 points
Other Parts Discussed in Thread: DRV8908-Q1
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1164347/drv8908-q1-old-fault

主题中讨论的其他器件:DRV8908-Q1、冲击

嗨,芯片

 我对 drv8908-q1有疑问。   请帮我解决这个问题、谢谢。

1.如果我们添加直接空气放电,请帮助您检查为什么会出现“旧”现象:输出屏蔽线有+/-8KV 噪声,谢谢!   

我已经检查过有关旧配置的寄存器是否恢复为默认值、为什么? 并且寄存器(地址0x07)不会返回默认值、为什么?

2.您能告诉我是否有任何其他情况会重新启用开路负载检测(OLD) ;

3.  您能告诉我在禁用 OLD 时是否有任何关于寄存器集的特殊通知;

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    您好!

    DRV8908-Q1没有系统级 ESD 保护。  需要为这种类型的测试添加外部保护。  在没有保护的情况下使用系统级 ESD 冲击测试器件是不合理的或不建议的。  器件很容易损坏。

    https://www.ti.com/lit/an/slyt492/slyt492.pdf

    此致、

    Ryan

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    您好、kehr、

    感谢您的回答。  由于 nSLEEP 信号会受到影响、因此该问题将得到解决、并在 ESD 问题中重新初始化芯片。

     我还有一个问题、我们使用4块 drv8908_Q1芯片、4块芯片使用相同的 CLK、MOSI、MISO、但 drv8908_Q1的4个 CS 是 不同的 GPIO。

    我们需要将初始化4芯片一起以减少初始化时间、

    如果我们可以同时启用4芯片的 nSCS 引脚,那么将4芯片的寄存器一起写入?

    如果我们这样做,如果 SDO 引脚在1个芯片的 SDO 为高电平时损坏,而另一个芯片由于4个芯片 的异步 应答而为低电平时损坏? 谢谢!  

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    您好!

    不建议这样做。  请按照数据表第8.5.3节中的讨论使用菊花链功能。  这也将节省 CS 引脚。

    此致、

    Ryan

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    您好、 Rayn

       我的原理图已决定 使用4个 CS 引脚、但没有  链特性。  

    现在,我想节省 初始 化时间,当 MCU 设置 CS 为低电平时,MCU 是否 可以按顺序写入3个寄存器?  换句话说、MCU 将 CS 设置为低电平、MCU 首先写入寄存器并读取 SDO 数据、然后 写入第二个寄存器并读取 SDO 数据、然后 写入 第三 个寄存器并读取 SDO 数据、最后将 CS 设置为高电平?   这种方法是否可行?

    谢谢。

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    您好、 Rayn

       我的原理图已决定 使用4个 CS 引脚、但没有  链特性。  

    现在,我想节省 初始 化时间,当 MCU 设置 CS 为低电平时,MCU 是否  可以按顺序写入3个寄存器?  换句话说、MCU 将 CS 设置为低电平、MCU 首先写入寄存器并读取 SDO 数据、然后 写入第二个寄存器并读取 SDO 数据、然后 写入 第三 个寄存器并读取 SDO 数据、最后将 CS 设置为高电平?   这种方法是否可行?

    谢谢。

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    Rita、

    请查看数据表并阅读有关 nSCS 引脚的第二个要点。  它必须保持高电平至少400ns。

    此致、

    Ryan

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    您好、  Ryan

     再次感谢您。 我还有一个问题,对于斜率控制寄存器(地址为0x1d), 当 MCU 设置为0xff 时 ,输出压摆率比默认值快(设置为0x00时),对吧?

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    Rita、

    没错。

    此致、

    Ryan