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器件型号：DRV8323 我们遇到了 DRV8323HR 问题。 电机大约启动、但在2或3秒后停止。
我们探测引脚并注意到，高侧 MOSFET 漏极和源极引脚的电压相同(48V 即 Vcc)。 drv fault 正在得到。 请帮助我们解决问题吗？
谢谢你 Akshay！ 如果需要更多详细信息、请告知我们。 请参阅下图以供参考。
您使用的是什么 IDRIVE 设置？ 120mA 拉电流和240mA 灌电流。
nFAULT 上是否有一个上拉电阻器连接到 VCC？ 是的、通过10K 电阻器上拉至5V
您能否提供 VDRAIN、GHx、SHx 和 nFAULT 的波形？ 在下方的 DRV 8323损坏之前捕获波形。
导通—低侧 MOSFET VGS 和 VDS
关断—低侧 MOSFET VGS 和 VDS
导通—高侧 MOSFET VGS 和 VDS
关断—高侧 MOSFET VGS 和 VDS
死区时间
高侧和低侧 MOSFET 的 PWM 信号
您好、Akshay、
请在下面找到我的评论
您能否提供 VDRAIN、GHx、SHx 和 nFAULT 的波形？ 在下面旋转2或3转时、为损坏的 DRV8323捕获的波形、如果需要更多详细信息、请告知我们。
您好、Akshay、
感谢您的评论、请在下面找到我的评论。
您是否使用 VDS OCP？ 如果是、您的行程设置是什么？ 是的、跳闸设置为11.5A rms
使用的 Idrive 设置很可能很高。 是否可以减少 IDRIVE 设置以查看它是否有助于解决此问题？ VDS 可能会耦合到低侧、而较低的 Idrive 可能会对此有所帮助。 好的、可以尝试这种方法、但电流 Idrive 为120mA 拉电流和240mA 灌电流、上升时间和下降时间我们将低于
高侧打开 ：-300ns
高侧关闭 ：-300ns
低侧打开 ：-220ns
低侧关闭 ：-220ns
您能否分享您的布局和原理图以帮助评估设计？
如果需要更多详细信息、请告知我们。
谢谢
您好、Akshay、
请在下面查找我的意见。
1)原理图模糊，我无法读取器件值，所以您可以上传 pdf 版本吗？ 已上传
2) 2)我仍然不确定您提到的损坏。 损坏是什么意思？具体部件是什么？ 是否存在短路或烧坏？ 我没有观察到任何短路或烧断、但在2或3次旋转后、我注意到 VDRAIN 引脚变为低电平、SHx 引脚变为高电平。 移除所有高侧 MOSFET 后、我仍然在 SHx 引脚上观察到48V 电压。
3) 3)过流情况会导致重试模式、但我们看到 nfault 被锁存为低电平。 这向我表明、我们看到了栅极驱动器故障。 如果器件正常工作且未损坏、我想查看锁存故障是否始终发生。 如果确实如此、则可能表明存在短路/损坏、导致 nfault 变为低电平。 锁存故障始终会发生、在下电上电后、我们可以运行2或3次、然后锁存故障发生。
4) 4)如果发生损坏、我们可以对引脚执行阻抗检查、以缩小发生短路的位置。 我将移除 IC 并再测试一次 、并更新您的信息
您好、Akshay、
IDRIVE 降至30mA 源电流和60mA 漏极电阻，栅极电阻为33欧姆，变化后捕获的波形低于
高侧 MOSFET 导通
高侧 MOSFET 关断
低侧 MOSFET 导通
低侧 MOSFET 关断
VM 的波形
除了降低 Idrive 设置外、您还可以增加死区时间来解决此问题。 DRV8323HRTAR、没有可更改死区时间设置的选项。
移除高侧 MOSFET 的目的是什么？ 我们不建议在没有 HS MOSFET 的情况下旋转电机。 在受损的 DRV 中经过2或3次旋转后、SHx 引脚上的电压为48V、因此我们移除了高侧 MOSFET、以确保电流路径不会通过 MOSFET。 但在移除 高侧 MOSFET 后、SHx 引脚上的电压仍为48V。
谢谢、
您好、Balabhaskar、
VDS_OCP 使用什么电阻器设置？ 我想知道跳闸电压。
使能位是否在整个运行期间保持高电平？ 使能引脚和 nfault 的波形会有所帮助。
您能否在同一个图上提供 VDS、VGS、相电流和 nfault 的波形？
本质上、我们需要确定以下哪些条件会导致观察到故障。
最棒的
Akshay
