您好！
我们需要您对以下 TI 产品的技术支持：栅极驱动器：DRV8705S-Q1。
在诊断验证测试之后、我们遇到了 DRV8705S 故障问题("测试：SH1对地短路")。
*该 mΩ 器2Ω 管理两个外部 N-MOSFET (高侧：HS 和低侧：LS)：(RDSon = 3.3k Ω)，采用分离式 HS 和 LS 配置(分流电阻为3mΩ Ω)，以控制 Ω 电阻负载。
**电池电压=13.5V
例如：在本例中，我们不会将续流二极管与负载并联(R= 2Ω Ω，L=10uH)。
*诊断在“打开状态”和“关闭状态”中执行。
在“导通状态”中：我们设置 VDS_LVL=0.06V
*在“关闭状态”中，我们将执行三个连续的诊断周期。 每个持续4ms、如下所示：
1- Pull-down_SH1=1 Pull-UP_SH1=0
Pull-down_SH2=1 Pull-UP_SH2=0
2- PUL拉_SH1=0 PULL_SH1=1.
PULL_SH2=0 PULL_SH2=1
3-下拉_SH1=0 上拉_SH1=1.
Pull-down_SH2=1 Pull-UP_SH2=0
*我们启动一个 PWM = 100%(频率= 4Hz)的周期、并对依赖栅极驱动器引脚21：SH1的信号施加对地短路。
测试结果：
栅极驱动器 DRV8705S 在应用短路后不再正常工作。
故障调查：
*在检查2个 N-MOSFET 高侧和低侧以及栅极驱动器后，我们发现以下引脚之间的阻抗非常低：
-SH2-SL2：79Ω μ A
-SH2-GND：45Ω Ω
-SL2-GND：43Ω Ω
->解释：与测量第二个半桥低侧 MOSFET VDS 电压相关的内部电路出现故障。
问题：
1/-您是否对测试结果有解释？
2/-为什么电路连接到被破坏的低侧 MOSFET、而不是连接到高侧 MOSFET 的电路(这是"奇怪的")？
感谢您尽快回答我们的问题。
此致。
