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[参考译文] DRV110:DRV110

Guru**** 2562120 points
Other Parts Discussed in Thread: DRV110

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/840200/drv110-drv110

器件型号:DRV110

我已经组装了 DRV110的原理图、以处理 110V 直流电源、从而连接到电磁阀的线圈。

尽管组装的 PCB 在使用预期的峰值和保持电流时工作、但存在以下问题。

1)。 如果我使用 OSC 电阻= 0欧姆、MOSFET 上的频率为20kHz。      但 MOSFET 会变热

另一方面 、当

2)。 如果我使用 OSC 电阻= 2M 欧姆、MOSFET 上的频率为1.8KHz。  现在 MOSFET 是热的、但现在电磁阀发出了很多嗡嗡声。

3)。 如果我使用 OSC 电阻= 30M 欧姆(在实验中、但不建议这么做)、则 MOSFET 上的频率为164Hz。  现在、MOSFET 仍然很酷、但 现在螺线管发出大量嗡嗡声。

请询问我 解决问题所需的任何设计数据。

期待获得任何帮助来解决问题。

此致、

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    PS:   为了进一步澄清、我需要针对此问题提供帮助、以便不会出现噪声且 MOSFET 不应发热。

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    您好!

    我已就此主题通知了我们的专家。 请在19年9月20日之前回复。

    谢谢、

    Aaron

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    您好!

    在我看来、 根据您的实验、这是一个 MOSFET 慢速 TR/TF 问题。 在高频时、转换期间的时间百分比更高、MOSFET 将发热。

     典型的 DRV110 最大栅极驱动能力 为+/-15mA

    此致、

    Costin

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    大家好、Costin、

    感谢您的回答。 我使用的是 MOSFET  STP13N80K5。 它具有以下 TR 和 TF 数据。 在本例中、TR/TF = 1                         

    符号

    参数

    测试条件

    最小

    典型值

    最大

    和功能

    TD (开)

    接通延迟时间

    VDD= 400V、ID =Ω、RG = 4.7 μ H、VGS = 10V

    (请参阅图21:"电阻负载开关时间的测试电路"图26:"开关时间波形")

    -

    16.

    -

    ns

    TR

    上升时间

    -

    16.

    -

    ns

    TD (关闭)

    关断延迟时间

    -

    42.

    -

    ns

    Tf

    下降时间

    -

    16.

    -

    ns

     

    对于以下电压和电阻、您是否建议使用任何其他 MOSFET?

    电磁阀工作电压为220V。

    线圈 直流电阻= 48欧姆

    线圈 电感(电枢放置在类似于完全运行条件的位置) = 1.36亨利

     

    2)。 此外、请建议如何降低占空比。

    对于我可能使用的任何 Rs 值、我得到大约90%的固定占空比。

    Rs=0.1欧姆和串联电阻的现值(从 Rs 到 IC 感应引脚9 = 20K)。

    其他值如下:

    R PEAK = 39K

    R HOLD = 500K

    C keep= 1uF

    期待获得任何帮助。

    再次感谢您的支持。

     

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    大家好、Costin、

    感谢您的回答。 我使用的是 MOSFET  STP13N80K5。 它具有以下 TR 和 TF 数据。 在本例中、TR/TF = 1。                          

    符号

    参数

    测试条件

    最小

    典型值

    最大

    和功能

    TD (开)

    接通延迟时间

    VDD= 400V、ID =Ω、RG = 4.7 μ H、VGS = 10V

    (请参阅图21:"电阻负载开关时间的测试电路"图26:"开关时间波形")

    -

    16.

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    ns

    TR

    上升时间

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    16.

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    ns

    TD (关闭)

    关断延迟时间

    -

    42.

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    ns

    Tf

    下降时间

    -

    16.

    -

    ns

     

    对于以下电压和电阻、您是否建议使用任何其他 MOSFET?

    电磁阀工作电压为220V。

    线圈 直流电阻= 48欧姆

    线圈 电感(电枢放置在类似于完全运行条件的位置) = 1.36亨利

     

    2)。 此外、请建议如何降低占空比。

    对于我可能使用的任何 Rs 值、我得到大约90%的固定占空比。

    Rs=0.1欧姆和串联电阻的现值(从 Rs 到 IC 感应引脚9 = 20K)。

    我们能得到一个大约50%的占空比。

    其他值如下:

    R PEAK = 39K

    R HOLD = 500K

    C keep= 1uF

    期待获得任何帮助。

    再次感谢您的支持。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好!

    电磁阀电流 TR/TF 由设定:电磁阀电感和电阻、电源电压和目标 IPEAK 和 IHOLD。

    该时间常数比 MOSEFET TR/TF 慢得多。 MOSFET 上的大部分功率在转换期间耗散。 由于 TR/TF 不受频率影响、因此在高 PWM 频率下、MOSFET 功率更高。 根据最坏情况的 MOSFET Tj、您可能需要散热器或更大的 MOSFET

    占空比也由系统 di/dt /设置。 DRV110内部比较器具有迟滞功能、在比较器输入达到关断阈值之前、由于电流过 Rs 的缓慢斜坡电压将强制 DRV110导通

    另一个问题是 Rpeak 和 Rhold 均超出建议值。

    Rpeak 应大于67k Ω 或接地

    Rhold 应小于333k Ω

    此致、

    Costin