你(们)好
我想知道 为什么 DRV8243SQRXYRQ1具有12A 的输出电流能力?
MOSFET 的导通电阻为84mΩ Ω、功率损耗为12*12*0.084=12W、我认为 这对于 H 桥驱动器来说太大了、您能不能就12A 输出电流的功耗估算提供意见?


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你(们)好
我想知道 为什么 DRV8243SQRXYRQ1具有12A 的输出电流能力?
MOSFET 的导通电阻为84mΩ Ω、功率损耗为12*12*0.084=12W、我认为 这对于 H 桥驱动器来说太大了、您能不能就12A 输出电流的功耗估算提供意见?


嗨、Shawn、
我不确定要告诉您的是什么-芯片可以处理数据表中规定的高达12A 的电流。 其中一部分涉及我们使用底部的大型散热焊盘来散热。 如需更多信息、请参阅德州仪器(TI)文献编号 SLMA002 (www.ti.com/lit/slma002)和 SLMA004 (www.ti.com/lit/slma004)。
例如、驱动时、至少2个内部 FET 上的功率耗散- HS1和 LS2。
此系列芯 片具有广泛的热量计算器-下载设计和开发中的全桥驱动器结温估算器(修订版 B)、自行处理数字。
此致、
Jacob
您好、Shawn、
该封装具有非常好的散热器、结至 PCB 的热阻仅为8.1 C/W、因此即使在产生12瓦的热量的情况下、它也只会将结温升至8.1 * 12 = 97C、再加上25°C 的环境温度、结温为122C、 远低于155C 时的热关断保护

Brian
嗨、Shawn、
这些计算中涉及到很多因素、包括 PCB 上覆铜的尺寸和厚度。 请自行尝试计算。 下面是我们有关 计算 H 桥或半桥驱动器功率耗散的详细应用手册。
我怀疑、如果您在接近100%占空比的情况下以全12A 的电流运行芯片、那么您将无法将其保持在53C 以下。 在这些条件下、我们的 EVM 通常会达到70-80C 左右、EVM 通常远大于最终生产 PCB。 不过、这只是一个猜测。
此致、
Jacob