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[参考译文] DRV8323R:关于 DRV8323的信号异常

Guru**** 2387060 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD88584Q5DC, DRV8323, CSD88599Q5DC
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/689864/drv8323r-about-the-signal-abnormality-of-drv8323

器件型号:DRV8323R
主题中讨论的其他器件:CSD88584Q5DCDRV8323CSD88599Q5DC

我的电机驱动器使用 DRV8323RX+CSD88584Q5DC 来实现

在应用中、遇到栅极驱动信号和 PWM 信号不匹配的情况、导致电机开始去同步。
使用正常 MOS 驱动器 IC 测得的波形如下:(CH1pwm 波形、CH2驱动波形)

然后测量 DRV8323RX 的输出波形和 PWM 波形:

程序中 DRV8323RX 的设置为:

SPI_ReadWriteByte (0x1000);
SPI_ReadWriteByte (0x1BFF);
SPI_ReadWriteByte (0x27FF);
SPI_ReadWriteByte (0x2D59);
SPI_ReadWriteByte (0x3203);

驱动信号异常的原因是什么? 我从未找到原因。

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    您好、Yingzhi、

    您能否提供有关问题的更多信息。
    图1中的正常 MOS 驱动 IC 是什么?
    2. DRV8323的 VM 和 nFAULT 波形如何?
    负载电流是多少?

    谢谢。
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    尊敬的 Betty:

    1、正常 MOS 驱动 IC 的第一个图是来自 ST 的 L6389。

    2、当我尝试启动电机时。 电机旋转一周后、nFAULT 变为低电平。 因此、我读取寄存器故障状态1和 VGS 状态2的值。每次故障相同时:指示栅极驱动故障状况、有时是 HA 故障、有时是 HB 故障、有时是 HC 故障。   昨晚,我~了寄存器:栅极驱动故障被禁用,并启动电机。哦,电机正在运行。 但10秒后、DRV8323RS 发生爆炸...太糟糕了。

    3、启动电流为500ms 4A、1000ms 8A、1500ms 10A、 如果电机正在运行、负载电流为2A。

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    昨天、我将 TDRIVE 设置为4000ns、CSD88599Q5DC 的 Qgd 设置为7nC、tr 100ns、因此我将 IDRIVEP 和 IDRIVEN 设置为120mA。 对吗?
    和 CSD88599Q5DC 的56nC 和 Ivcp >3*Qg*Fpwm。 因此、我将 Fpwm 设置为24kHz。 3*56nC*24K=4.032ma<25mA。

    您的速记。
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    尊敬的 Betty:

    我制作了一个新的 PCB、旧 PCB 已爆炸。

    但情况相同。 GHx 和 GLx 将下降。

    此 GHA 和 SLA、

    我尝试了所有的 Idrive 和 Tdrive 设置、Idrive 格式0x00到0xff。Tdrive 从500ns 到4000ns、但相同。

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    您好、Yingzhi、

    1.我查看了 CSD88599Q5DC 数据表、tr=20ns、Qgd 为7nC、因此 IDRIVEP 应为350mA。 PWM 频率为24k、没关系。
    2.强烈建议不要禁用 Vgs 故障检测。
    3.如您的描述所示,问题可能是 Vgs control。您能向我展示 GHX、GLX 和 CSD88599Q5DC 栅极之间的电路吗? 有电阻器吗? 因为电阻器将影响 MOSFET 开关时间。
    4.我在您的 PCB 板上找到六个30B 电阻器、它们的用途是什么?

    谢谢。
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    您好、Betty、

    我上传了原理图。

    GHX、GLX 和 CSD88599Q5DC 之间未连接电阻器。

    这些电阻器用于 BKIN 检测。

    非常感谢。

    e2e.ti.com/.../Schematic-Prints.pdf

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    尊敬的 Betty:

    这是我的新 PCB。 我删除了一些与电机运行无关的内容、但情况相同。

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    您好、Yingzhi、

    VM 引脚上必须包含一个大容量电容器、该值应取决于您的应用。 请参阅 DRV8323数据表 P69关于大容量电容器部分。 我发现您只在 VM 上放置了一个4.7uF/50V 电容器、它太小了。

    如果您仍有疑问、请告诉我。

    谢谢。
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    尊敬的 Betty:

    我更改了这些参数。

    IDRIVEP:370ma IDRIVEN:380ma  TDRIVE:2000ns VDS_LVL:0.75V 分流器 R:0.005Ω Ω

    并尝试启动电机、nFAULT 变为低电平。 故障状态寄存器1为 VDS_HA 或 VDS_HB。

    我更改了 VM 上的电容47uf。  故障相同、表示高侧 MOSFET 上的 VDS 过流故障。

    GHA 波形如下所示:

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    您好、Yingzhi、

    请测量高侧 Vgs 信号、低侧 Vgs 信号和死区时间。

    CSD88599Q5DC 下降时间为2ns、因此将 IDRIVEN 更改为 max、并测量 MOSFET 需要关断的时间。

    谢谢。
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    尊敬的 Betty:

    我在启动时测量了有关 GHA 和 GLA 的信号。

    然后还有 GHA 和 Mota 信号。

    电机启动时、电源开始变低、我的电源为30V15A。

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    尊敬的 Betty:

    我想我看到一种异常情况。  这是不正确的波形。GHB 和 GLB。

    波形是怪异的。 死区时间消失了。  这种波形并不是每一刻都发生的。

    然后我去测量 INHB 和 INLB。

     这是 INHB 和 INLB 波形。

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    尊敬的 Betty:

    DRV8323RS 输入逻辑高电压为1.5V。 我感谢这是 INHX 和 INLX 输入信号波形的抖动问题。
    因此,我计划更改 PCB,在 MUC 和 INHX、INLX 之间添加电阻电容电路。 您认为这是可行的吗?
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    您好、Yingzhi、

    更好的方法是更改 PCB 布局以减少此抖动。 通常、MCU 和 DRV 之间不需要 RC 电路、因为您可以 通过 Idrive 控制 MOSFET 开关时间。

    谢谢。

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    尊敬的 Betty:

    本周我更换了 PCB。现在 INHX 和 INLX 信号很好:

    但问题与以前相同:指示 X 高侧 MOSFET 上的栅极驱动故障、启动电机故障20ms。我尝试再次修改 Idrive 和 Tdrive、但失败了。

    我测量了 GHX 和 INHX 的波形:

    现在、栅极驱动电压不会下降。

    我测量高侧 VG 信号和低 SiGe VG 信号。

    死区时间似乎不正常。

    我不知道接下来该怎么办?

    非常感谢。请原谅我的愚蠢。

    e2e.ti.com/.../180518FOC_5F00_Project.rar

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    您好 Betty,

    我尝试多次启动电机。 DRV8323损坏。 VM、VCP、VPH、BGND、AGND、DGND 被连接。
    VM 和 VCP 之间为1uf/50V、CPH 和 CPL 之间为47nF/100V。
    我不知道为什么。

    感谢你的帮助。
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    您好、Yingzhi、

    输入信号看起来正常。

    请放大您的最后一张图片以测量死区时间、该图片中的 Idrive 是多少?

    我看到高侧 VG 信号和低侧 VG 信号具有过冲。 根据数据表、GHx 范围为-5V 至 VCP+0.5、GLx 电压为-0.5V 至13.5V、因此请检查您的信号电压、可能是器件损坏的原因。

    此外、当器件损坏时、高侧和低侧的栅极信号是什么?

    谢谢。
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    尊敬的 Betty:

    我放大了图片:

    IDRIVEP 为680ma、IDRIVEN 为740ma、 TDRIVE 为4000ns.deid_time 为100ns。

    我的软件中的死区时间为800ns。

    DRV8323RS 未再次损坏、因此我未捕获信号。

    此外、DRV8323中的内部 LMR16006X 直流/直流效率非常低。 这是否与驱动程序有关?

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    您好、Yingzhi、

    死区时间看起来不错。 器件是否正常工作?

    内部直流/直流独立工作、您可以参阅数据表。

    谢谢。
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    尊敬的 Betty:

    我的控制器仍然无法正常工作。 我将检查我的软件。 但我不是一个好主意。因为我的软件在其他 PCB 上是正常的。

    谢谢。