[参考译文] DRV8305：当电源断开时提供栅极驱动保护、并且通过机械驱动的三相电机在高侧电源连接 SH_A、SH_B 和 SH_C 上提供交流电势。

器件型号：DRV8301

支持路径：/其他主题/设计技巧和操作指南/模拟应用期刊/

您好！

当使用 DRV8305N 驱动三个配置为 半桥拓扑 、高侧栅极驱动架构的 N 沟道 MOSFET 时。 负载是一个三相电机。

1.如果   MOSFET 和 IC 在 IC 完全 断电且 电源(电池)断开时作为发电机运行的三相电机产生反向电压、DRV8305和栅极电路是否有任何保护。  数据表仅介绍 IC 通电时的 IC 和栅极保护。

2.是否有针对这种情况的建议？

放置在栅极信号路径中的齐纳二极管是否会保护 IC。

谢谢、

尊敬的 Dion：

我看到您在标题中发布了与 DRV8305相当相似的问题。 此帖子的标题中显示了 DRV8301、但本文中提到了 DRV8305。 您询问的是哪种设备？

谢谢、
Garrett

尊敬的 Dion：

当 SHX 节点变为高电平时、有一条内部路径可在器件未通电时反馈回 VCPH。 我相信这就是您在上面描述的情形。

如果 PVDD 被拉至 GND、则可能导致 PVDD-VCPH 电压超过最大额定值、并损坏器件。 但是、如果 PVDD 保持悬空、它能够与 VCPH 一起悬空。 在之前的测试中、如果电池断开时 PVDD 连接为高阻抗、我们没有观察到 SHx 上的反向馈电压对器件造成的损坏。 您能否提供有关反向电压预期幅值和持续时间的任何信息？

谢谢、
Garrett

很抱歉。 我指的是 DRV8305。

您好、Garrett、

反馈电压振幅可能会变化。 我看到电压峰值等于20加交流电压。 反向电压的预期持续时间为0.5至10秒、具体取决于装配过程。 有关如何防止 pvdd 拉至 GND 的任何建议。

尊敬的 Dion：

正如您最初建议的那样、PVDD 输入上的齐纳二极管可以防止 PVDD 反向电流。 但是、由于 VCPH 以 PVDD 为基准、此二极管压降将限制您的输入电压范围、并略微降低您的 VCPH 电压。 由于高侧栅极上拉电阻直接来自 VCPH、因此相对于电池电压、高侧栅极将略低。 当高侧 Vgs 开始降至10V 以下时、在低电压运行时、该问题将变得更加明显。

或者、当处于关断状态且压降低于二极管解决方案时、基于 BJT 或 PMOS FET 的控制电路可用于从任何放电路径中切断 PVDD。

在任一种情况下、请确保将推荐的4.7uF 电容器放置在二极管或截止电路的 DRV 侧。 该电容为电荷泵提供开关电流、防止 PVDD 电压跳转并持续移动 VCPH 参考点。

谢谢、
Garrett

您好、Garrett、

与 PVDD 内联的肖特基二极管是否是更好的解决方案？

谢谢