[参考译文] DRV8323：TDRIVE 状态机说明

您好 Tobias、

感谢您的提问！ 我计划更详细地了解它、并希望 在本周结束前对您作出回应。

此致、

Anthony Lodi

您好 Tobias、  

关于您的最后一个问题、即 DRV 是否检测到一个完全充电的 U_GATE 源的阈值、答案是否定的、TDRIVE 状态机不会检测充电过程何时完成、 它只应用 ISTRONG 和 IDRIVE 电流、直到 tdrive 时间结束。 以下更新的 TDRIVE 图可能更清晰：

您提到、根据您观察到的测量结果、在死区时间期间也会施加 DRIVE_N 电流。 您如何测量该电流？ 您正在使用什么 DRIVE_N 设置？

此致、

Anthony Lodi

您好、Anthony、

感谢您提供调整后的 TDRIVE 图。

使用差分探针测量两种栅源电压。

栅极电流是在两个并联低侧 FET 之一的1欧姆前置栅极电阻器上测得的。 使用了一个 BNC 线路直接焊接到预栅极电阻器的一侧。

上述测量中的 DRV 死区时间设置为400ns、驱动寄存器高侧1737 (570mA 驱动、660mA 驱动)和低侧1991 (570mA 驱动、380mA 驱动)。

此致、

Tobias Widmann

您好、Anthony、

关于更新后的 TDRIVE 图、我还有一些其他问题。

1.如果 TDRIVE 结束时没有阈值、如何确定栅极是否已充满电。 此处提到的阈值是什么值？
   

2.如下图所示使用软件死区时间(例如1000ns)时、TDRIVE (4000ns)的启动准确无误。 在高侧、低侧信号还是在相位输入信号的每个电平变化时从零开始？
   

3.比较旧的和新的 TDRIVE 图， 可以看出当相关 FET 关闭时 ISTRONG 部分缺失。 新图中只显示了一个 IHOLD 吗？
   

此致、

托比亚斯

您好 Tobias、

我打算在下周初之前更详细地回答您的其他问题、但 要回答您的第一个问题：如果在 TDRIVE 时间结束时 VGS 电压不超过大约2V、则会发生 GDF。 这与确保栅极充满电不同。 如有必要、可增加 TDRIVE、以便在 TDRIVE 时间结束前为栅极提供足够的时间进行完全充电。 TDRIVE 的长度 必须足够长、以涵盖一个 FET 的放电+ DEAD_TIME +时间、从而为另一个 FET 完全充电。  

此致、

Anthony Lodi

您好 Tobias、

要跟进您的其他问题(问题2和3)：

2：当使用软件死区时间时、TDRIVE 时间将在输入切换时复位。  

3.新图正确： 当 MOSFET 转换时、开启的栅极上的电压转换可能会耦合到另一个 MOSFET (本应关闭)、这可能会导致一些寄生击穿。  这主要是 MOSFET 导通时(VGS 电压上升)的问题、因此在此期间使用强下拉(ISTRONG)来保持  对面 MOSFET 的栅极关闭。 这在 MOSFET 转换关闭时不是很重要、因此在这种情况下不使用 ISTRONG。

我在死区时间内与团队确认 IHOLD 电流、我将在得到答案后再回复您。

此致、

Anthony Lodi

您好 Tobias、  

很抱歉回来的时候有延误，我联系了同事，他建议增加死区时间，以便我们可以更清楚地看到在死区时间是否得到 IHOLD。 我建议使用最大死区时间并重新生成一个波形、显示栅极电阻器上的压降、GHx-SHx 电压以及 GLx 至 SLx 电压。  

此致、

Anthony Lodi

您好、Anthony、

在附加的测量中、我选择了更大的软件死区时间。 此外、我还针对三种不同的灌电流设置重复了测量。

灌电流设置	380mA	280mA	160mA

请记住、两个 FET 是并联驱动的。

此致

托比亚斯

您好 Tobias、

感谢波形！ 只是想确认一下、当您 说软件死区时间是指 MCU 在 INHx 和 INLx 信号上插入的死区时间？ 或者、您是指  栅极驱动器中器件寄存器的 DEAD_TIME 位中的编程死区时间？ 我想看到一个波形、其中没有从 MCU 插入死区时间、而只是依赖于 DRV 的死区时间。

此致、

Anthony Lodi

您好、Anthony、

首次测量(OCT、18)时、可能的最大 DRV 死区时间为400ns。

最新的测量(11月8日)是在400ns DRV 死区时间和~1500ns 软件死区时间内进行的、因此您假设输入信号延迟。

此致、

托比亚斯

您好 Tobias、

我现在明白了、听起来不错。 让我与同事讨论这个问题、并希望下周再见。

此致、

Anthony Lodi

[引用 userid="534076" URL"~/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1162578/drv8323-clarification-of-tdrive-state-machine/4376770 #4376770"]通过比较旧图和新的 TDRIVE 图， 可以看出当相关 FET 关闭时 ISTRONG 部分缺失。[/quot]

新的 TDRIVE 时序比旧的时序更有意义： 在上 FET 关断期间、没有理由进一步驱动已关断的下 FET、因为如果需要在上 FET 关断时传导电电机电感电流、则有一个内置的体二极管。

[引用 userid="534076" URL"~/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1162578/drv8323-clarification-of-tdrive-state-machine/4398339 #439839"]

n 我选择了更大的软件死区时间。 此外、我还针对三种不同的灌电流设置重复了测量。

[/报价]

这3个 PICS 的时序与给定的新 TDRIVE 时序完全匹配。 我认为我们不应该期望栅极电流具有尖锐的"阶跃响应"、因为在毫微秒 时间窗口中实际上没有这样的计时。

Brian

您好 Brian、

我也不希望出现尖锐的边缘。 此外、即使在达到2V 阈值后、测量的行为也会导致良好的关断。

我的问题的目的是了解、如果 DRV 在达到所述的阈值后尝试将灌电流限制为50mA、或者 DRV 继续 IDRIVE 直到 ISTRONG 开始。

此致

托比亚斯

[引用 userid="534076" URL"~/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1162578/drv8323-clarification-of-tdrive-state-machine/4403606 #4403606"]我的问题旨在了解 DRV 是否在达到所述的阈值后尝试限制灌电流为50mA、或者 DRV 是否继续 IDRIVE 直到 ISTRONG 开始。

问得好、Tobias。 当我们观察 IGHx 时、可编程 IDRIVE 会在关断 FET 期间应用、以确保 GHx 在死区时间窗口之前处于低电平。 为什么设计不能在死区时间内继续保持 IDRIVE、然后通过 ISTRONG 提高动力？ 我认为在死区期间、系统处于电气安静状态、没有理由担心上 FET 会意外再次打开、因此请勿继续使用 IDRIVE 驱动、以节省能源并减少芯片上产生的热量。 但是、当 GLx 变为高电平时、较低的 FET 导通、导致系统上产生较大的尖峰、尤其是 GND、并且噪声可能导致上部 FET 导通、因此在这个大爆炸窗口期间、ISTRONG 会施加到 GHx 以确保其关断。  

Brian

您好 Tobias、

我想提供一个简短的更新：我仍在尝试确认栅极驱动器是否在死区期间切换到 IHOLD、我刚刚联系了设计团队的一名成员、看看他是否知道。 我会在得到答案后通知您。

此致、

Anthony  

您好 Tobias、  

很抱歉耽误跟进、几周前我从一位同事那里获得了一些有关 IHOLD 的信息、今天我回答了他、问了一些进一步的澄清问题。 我会在得到明确答案后随时向您提供最新信息。

此致、

Anthony Lodi

您好、Anthony、

感谢您的更新和继续关注本主题。

此致
托比亚斯

您好 Tobias、

你的欢迎，我得到了关于这个问题的进一步澄清，但还有一个问题我要求澄清。 希望在下周结束之前解决所有问题。

此致、

Anthony Lodi

您好、Anthony、

您是否已经有关于 I_HOLD 主题的更多信息？

此致
托比亚斯

您好、Anthony、

没问题。 感谢您在本主题中提供的帮助。

1.在驱动器从第3相开始驱动低侧(红色)之前、是否会保留 I_DRIVE (高侧)、或者如何想象此转换？
   

2.此状态机是否正确或我是否错过了相关行为？

3.您提到"除非 tDEAD 在 tdrive 结束后出现"。 在哪种情况下、tDEAD 可以在 tDRIVE 之后发生？

此致、期待您的回答、

托比亚斯

PS：由于状态图有几个新的点、是否也可以在数据表中更改状态机？ 我认为这一点也与 DRV835x 相关。