[参考译文] DRV8704：电机控制器以50MHz 奇怪的频率振荡

何塞、

我认为引脚功能表中的电容器值可能是错误、因此我将在下一次数据表更新中做一个注释以更正该错误。 使用0.01 μ F 电容器。 这就是我们在 EVM 上使用的值。 我认为该值不应产生很大的影响、但电容器需要尽可能靠近芯片、以最大程度地减小走线电感。 我们还建议使用表面贴装电容器来降低引线电感。

以下是有关滤波器设计的数据表说明：

为了准确检测零电流、我们特意在零电流检测电路中放置了一个内部偏移。 如果在 xISENN 和 xISENP 引脚的电流感应电阻器上放置了一个外部滤波器、则必须保持对称。 这意味着 RISENSE 电阻器底部和 xISENN 之间的任何电阻都必须在 RISENSE 电阻器顶部和 xISENP 之间使用相同的电阻器值(1%容差)进行匹配。 确保最大电阻为500 Ω。 选择的电容值应确保 RC 时间常数介于50ns 和60ns 之间。 这些引脚上的任何外部滤波是可选的、运行时不需要。

当您选择电流感应电阻器时、请确保它能够处理您预计的最大电流的(I^2) R 功率耗散。

我无法打开您的原理图和电路板文件。 您可以将其作为 PDF 进行分享吗？

从示波器屏幕截图中可以看到、您具有可能损坏 IC 和 FET 的大负电压。 您的 FET H 桥上是否有大容量电容器？ 使用这些电阻器应该可以抑制电机和 H 桥瞬变。 DRV8704EVM 展示了如何在 H 桥上使用大容量电容器。

FET 快速开关产生的瞬变/振铃也可能会耦合在 FET 的寄生电容上。 您可以使用较低的 IDRIVE 设置来减少这种情况。 FET 的开关速度较慢、但应减少振铃。

尊敬的 James：

我们已通过将 t_blank 设置为最小值、显著降低了影响、以前寄存器为0xFF。 此外、我们将 RC 低通滤波器与控制 PWM 占空比的模拟信号串联。 这两种解决方案防止了这种影响的明显出现。 让我们相信将 t_blank 降至最小值是预故障振荡的周期为20-21ns、大致等于 t_blank 的增量大小。

振荡仍然偶尔出现。 我们还将考虑 FET 栅极的齐纳二极管击穿电压为16V。 这是为了在振荡再次出现时保护 FET。 我们已将拉电流和灌电流设置为100mA、t_drive 为1.05us

谢谢、
Mau

Mau 和 Jose、

我很高兴您能够通过调整器件上的设置来提高电路板的性能。 添加齐纳二极管有助于保护 FET、因此这是一个好主意。 如果您可以进一步修改电路板、请尽可能使用宽、短的迹线、尽量减小迹线电感。 尤其是、您需要对电源引脚和 DRV8704到 FET 的栅极驱动布线执行此操作。 为了进一步防止电流尖峰、您可以在 FET 上添加 RC 缓冲器、并在整个 H 桥上添加大容量电容器。