• 状态 Resolved
  • 已锁定 已锁定
  • 回复 4 回复
  • 订户 0 订户
  • 视图 284 视图
  • 用户 0 会员在此处
选项
选项
相关

This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] DRV8704：更正了 DRV8704设置

admin
Guru**** 2379520 points
Other Parts Discussed in Thread: DRV8704, CSD18535KCS
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/678400/drv8704-correct-drv8704-settings

器件型号：DRV8704
主题中讨论的其他器件： CSD18535KCS

您好！

我和我的团队计划在以50V 电压运行的电动车辆中使用 DRV8704、使用 CSD18535KCS MOSFET 和 ALLCELL HE-4820电池通过每个 H 桥的最大电流为20A。 我的问题与驱动寄存器有关。 MOSFET 的数据表中规定了 80nC 的最大栅极电荷、因此我使用100nC 计算了驱动设置。 我计算的设置如下：

最大拉电流：100mA

最大灌电流：200mA

T_DRIVE = 2.1us

死区时间= 670ns

T_off = 16us

T_blank = 5.880us

这些值对于 FET 而言是否合适？ 我们希望避免过多的功率耗散、并有足够的时间让栅极完全充电和完全放电。 我的理解是、t_blank 应至少比 t_drive 长、以避免在 DRV8704进入限流模式时损坏 FET。 是这样吗？

另一个问题：

过流保护电压是如何计算的？ 我的推理告诉我、我们应该使用电池的短路电流乘以 FET 的导通电阻。 但是、我不确定过流保护抗尖峰脉冲时间。

非常感谢您的参与！

  • 0
    TI__Guru**** 2379520 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、Sergio、

    我认为您选择的值对于这些 FET 来说是合理的。 该器件会自动插入死区时间以减少击穿、因此您可以根据需要将死区时间设置为0ns。 但是、您添加的额外死区时间不应伤害任何东西。

    我认为、如果 t_drive 长于 t_blank、就不会出现问题、但最好将 t_drive < t_blank。 数据表中是否有任何内容让您认为这是一个问题？

    对于过流保护，请选择一个大于 FET RDS，ON*典型电流的值。 在大多数情况下、您选择哪一个值无关紧要、但是如果您在系统中看到诸如"假"过流故障之类的问题、您可以尝试增大 OCPTH 值。 此功能有助于防止电机端子到接地或电源轨的短路。

    去毛刺脉冲时间尝试消除错误的 OCP 错误。 在 FET 导通期间、FET 上的电压可能高于 OCPTH、但如果这种情况持续时间不超过抗尖峰脉冲时间、则不会报告故障。 如果 FET 上的电压大于 OCPTH 的时间长于去毛刺脉冲时间、则 OCP 会报告故障。
  • 0
    TI__Guru**** 2379520 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    你好、James。

    感谢您的回答、这真的很有帮助。

    让我感到担忧的是、数据表中提到 t_blank 设置最小 PWM 导通时间(7.5.1.4)、这使我假设最小 PWM 导通时间应该足以为栅极充电。 这是不是正确的吗？

    我发布该帖子的动机是、我们发生了一个故障、其中 DRV8704的栅极输出在以37V/4A 的电流成功驱动单个电机后熔断。这不是最初发布的设置(几乎是更短的时间)。 我们确定这是由于 FET 的栅极未完全充电、因此损坏了 FET。 我们使用新晶体管和新的 DRV8704进行了更多测试、并在我的第一篇文章中概述了在12V 和800mA 条件下驱动较小电机的时序。 在详细介绍高侧和低侧晶体管的栅极时、我们注意到正侧 FET 的栅极降低到比接地低约3V。 我们将重复测试、并确保所有探头和系统接地均正确完成。
  • 0
    TI__Guru**** 2379520 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    塞尔吉奥

    T_blank 是电流调节方案的最短导通时间。 T_DRIVE 是从 FET 栅极拉出或灌入最大电流的时间长度。 T_blank 和 t_drive 与 DRV8704中的两个独立功能相关联。

    低于接地电压3V 违反了数据表中的绝对最大规格表。 如果可以消除这种影响、则器件应该可以正常工作。 如果栅极未充满电、我不会指望 DRV8704受到损坏。 相反、我预计 FET 会变热、并且可能会因开关缓慢而发生故障。

    此帖子是否也与您的项目相关？

    e2e.ti.com/.../678658
  • 0
    TI__Guru**** 2379520 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    是的、另一个帖子是相关的。 我会将其标记为“已解决”。