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[参考译文] DRV8872:制动状态下的静态电流以及高侧和低侧 MOSFET 之间的死区时间

Guru**** 2378850 points
Other Parts Discussed in Thread: DRV8872-Q1
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/678763/drv8872-quiescent-current-in-brake-status-and-dead-time-between-high-side-and-low-side-mosfet

器件型号:DRV8872

尊敬的同事:

我的客户正在使用我们的 DRV8872-Q1、对该器件有几个静态问题

1.器件处于制动模式(IN1=1、IN2=1)时的电流消耗是多少、客户发现它高达2mA、但在 HiZ 模式(in1=IN2=0)下、它是 uA 级、 但根据数据表、只有低侧 FET 导通、高侧处于关断状态、因此不应消耗电流、 因此客户想知道哪个电路消耗2mA 电流?

2.另一个问题是,对于每个输出引脚的高侧和低侧 MOSFET, 是否有死区时间控制来避免击穿? 如果是、您将死区时间留多久?

谢谢。

此致

张夏

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Charles、

    答案是  器件的所有内部电路。 对于 HiZ 模式、器件将在1ms 后进入睡眠模式、静态电流为10uA。 对于制动模式、器件的所有功能块都将被唤醒、例如内核逻辑、电荷泵、栅极驱动器和保护。它们都消耗电流、这与睡眠模式不同。

    2.是的。 死区时间为220ns (典型值)。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Betty:

    感谢您的回复。

    此致

    张夏