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主题中讨论的其他器件：DRV8144-Q1、 DRV8706-Q1、 DRV8106-Q1、 DRV8145-Q1尊敬的 TI 团队：
我找到了有关 H 桥 PD 计算的说明(slva504a)，但如果占空比在周期时间内是可变的(例如，第一 个周期中为10%， 第二个周期中为20%………)我们如何计算 H 桥的 PD？
"IL"是指公式中显示的 RMS 电流或瞬态电流？ H 桥的总功率损耗可以等于 PLS +PHS 直接(使用低侧再循环的半桥驱动器)？
"如果我们假设区域#4和#6的功耗可以忽略不计、则上升沿和下降沿的压摆率匹配、
死区时间相等、那么每个 FET 的功率耗散可近似如下：
1、Pl =[RON×IL 2 x (1-D)]+[2 x VD x IL x tDEAD x fPWM]
2. PHS =[RON×IL 2 x D]+[VM x IL x (VM / SR) x fPWM]
与 H 桥驱动器相比、由于传导损耗而导致的功率耗散大约减半、
但是、开关损耗保持不变。"
您是否可以为我们提供 H 桥(DRV8144-Q1)的热电子模式？
