你(们)好
您能让我就 VM 和 VDRAIN 的连接提出一些问题吗？
我们的客户将分离 VM 和 VDRAIN、因为他们希望在 VM 上放置滤波器。
当低输入电压下的纹波电压较大时、它们会关注 UVLO。
如果将 VM 和 VDRAIN 分开并将滤波器添加到 VM 中，则在某些情况下 VM 和 VDRAIN 之间可能存在一些电压差异。
这种差异可以接受多少？ 我认为这取决于外部 MOSFET。 如果是这样、我如何计算它可以接受多少？
此外，如果我们在 VM 上添加一些过滤器，我们应该关注什么？
此致、
本志本
哈玛本-圣、您好！
在与团队交谈后修改了我的答案。
不建议 将 VM 和 VDRAIN 分开。 由于 VDS 监视器和 Vgs 可能会受到负面影响、因此该器件可在这些电源线仅为一条电源线的情况下运行。
当 VM 高于 VDRAIN 时、您需要在高侧的栅极和漏极上具有足够的电压、以便仍然切换 FET。 因此、使用 VDRAIN 和 GHx 上的电压计算电桥运行将得到答案。 这里没有问题
当 VDRAIN 低于 VM 时、您必须小心高侧的齐纳钳位二极管、基本上、如果 Δ(VDRAIN - VM)不够大、二极管将无法正常工作。
Hecter-San、
感谢您的支持。 我还有其他问题。
>当 VM 高于 VDRAIN 时，您需要在高侧的栅极和漏极上有足够的电压才能仍切换 FET。 因此、使用 VDRAIN 和 GHx 上的电压计算电桥运行将得到答案。 这里没有问题
这是否意味着 VM 处于 VDRAIN 下？
>当 VDRAIN 低于 VM 时，必须小心高侧的齐纳钳位二极管，基本上，如果 Δ(VDRAIN - VM)不够大，二极管将无法正常工作。
我认为这不是"Vdain goes below VM"。 它是"Vdain goes over VM"。 是这样吗？ (因为"Vdain 低于 VM"与上述#1答案相同(VM 高于 VDRAIN)。
此外、正如您提到的、Vdain 和 VM 应该是相同的。 因此、Δ(VDRAT-VM)应该为零。 是这样吗？
我还有一个问题。
数据表中提到了 VM 和 VDRAIN 以及滤波器的隔离。
如果我们要在 VM 上添加过滤器，如何添加过滤器？ 以及如何配置 VM 和 VDRAIN 线路？
此致、
本志本
哈玛本-圣、您好！
请参阅以下回复：
>当 VM 高于 VDRAIN 时，您需要在高侧的栅极和漏极上有足够的电压才能仍切换 FET。 因此、使用 VDRAIN 和 GHx 上的电压计算电桥运行将得到答案。 这里没有问题
这是否意味着 VM 处于 VDRAIN 下？
>> VM > Vdraiin
>当 VDRAIN 低于 VM 时，必须小心高侧的齐纳钳位二极管，基本上，如果 Δ(VDRAIN - VM)不够大，二极管将无法正常工作。
我认为这不是"Vdain goes below VM"。 它是"Vdain goes over VM"。 是这样吗？ (因为"Vdain 低于 VM"与上述#1答案相同(VM 高于 VDRAIN)。
此外、正如您提到的、Vdain 和 VM 应该是相同的。 因此、Δ(VDRAT-VM)应该为零。 是这样吗？
>> VM < VDRAIN。 由于 VM < VDRAIN 时的情况、建议它们保持不变。 您可以将它们分开、但必须注意钳位二极管的运行。 建议 VM < VDRAIN 时的差值 为4V 或更低。
我还有一个问题。
数据表中提到了 VM 和 VDRAIN 以及滤波器的隔离。
如果我们要在 VM 上添加过滤器，如何添加过滤器？ 以及如何配置 VM 和 VDRAIN 线路？
>>如果 您希望单独操作 VM 和 VDRAIN 线路、请将它们分开。 滤 波器的滤波器与 DRV8305-Q1EVM 用户指南(修订版 A)用户指南中的滤波器类似。 滤波器在第14页上作为可选 π 型滤波器。 请注意、EVM 的设计电压高达45V、而 DRV832x 器件的工作电压高达60V
