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[参考译文] DRV8332:在非互补模式下行驶时可能会发生熔断

Guru**** 2389150 points
Other Parts Discussed in Thread: DRV8332, DRV8332-HT
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/696741/drv8332-blows-possibly-because-driving-in-non-complimentary-mode

器件型号:DRV8332
Thread 中讨论的其他部件:、 DRV8432

我将 DRV8332与 Atmel SAMC21搭配使用。

尽管 OC 电阻器设置为4A 保护(我们的负载永远不会达到该值)并且 CBC 设置和芯片不会发热、但我已经将3个 DRV8332芯片烧断了... 因此不会对我的观察结果进行过载。

因此、我猜我们使用芯片的方式是错误的。

当我从分立晶体管转向这个芯片时、我没有完全认识到互补模式下 PWM 方案的差异。

另外、让 SAM C21翻转 PWM 以进行补充似乎并不是一种内置的功能。 因此、我们始终使用更简单的模式、其中 PWM 驱动高侧、逻辑驱动低侧、死区时间由设计规定。

但是、由于 DRV8332专为兼容托盘而设计、并且高低侧开关会自动发生、RST 完全用于高阻抗模式、因此我的问题是:-

在非互补模式下运行此芯片是否危险。

因此、当以 A 高电平和 B 低电平驱动 AB 相并且 C RST false 为高电平 Z 时、当 PWM 信号在 A 上为高电平、在 B 上为低电平时(电流通过 A 和 B 流向接地端。

当 PWM 达到阈值并且输出下降、A 变为低电平、B 仍然为低电平时、 就好像 A 和 B 都拉至接地、并且没有电流流动。

这种非互补模式似乎正常工作、我们可以驱动电机。 但芯片会随机爆炸。

因此、我认为我们必须实施互补的解决方案、这可能是由于反激式保护不足或其他一些问题。

最后、问题是:您能否以安全的非补充方式使用 DRV8332?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    尊敬的 Dennis:

    此器件被设计成在多种模式下运行。 虽然建议使用辅助、但也可以使用非辅助。

    您能否提供有关器件故障的更多详细信息?
    1) 1)您是否正在监控 OTW/和 FAULT/引脚以确定是否忽略了问题?
    2) 2)您的 PWM 频率和最小/最大占空比是多少?
    3) 3)您的自举电容值是多少?
    4) 4)您的12V GVDD/VDD 电源是否满足数据表第9.2.1.2.2节的要求?
    5) 5)您能否提供 DRV8332及其周围电路的屏幕截图?
    6) 6)是否连接了散热器?
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Rick、

    1) 1)我们可以监控 OTW 和故障、但到目前为止、我们尚未正式监控过 OTW 和故障、因为我们对器件的初始体验非常好、我们的电机运转良好。 只是当我们开始对电机施加压力时、事情才开始发生错误。 当它们关闭时、我们立即关闭并丢失了任何历史记录... 因此、是的、我们可以尝试创建某种日志、并在将来将其转储到 PC。 但是、如果我们发现任何问题、我们将关闭电路板的电源。

    2) 2)我们从100 kHz 开始,使用255级 PWM ...  因此、我们在早期测试中使用了20/255至200/255占空比之间的设置。 进展顺利。 当我们停止电机运转时,扭矩很低,所以我们增加到了250/255...  当我们第一次爆炸时。  我们看到、您不应以100%的电压运行、以允许电容器充电。 我们还担心 PWM 可能过高。 因此、我们将 PWM 频率降至16KHz

    3) 3) BST A B C 与 OUT A B C 之间的100nF 电容器

    4) 4)我的数据表标记为 SLES274B–2013年8月–2014年1月修订、 我在文档中搜索不到此类部分。 然而、我们通过具有30A 功能和良好总体调节的工作台电源来驱动12V 电压。

    请注意、我们从您的 ALTIUM 评估板设计中复制了大部分设计。 其内容为:

    Ω 所有应用、建议添加26 μ F
    GVDD 电源和
     GVDD_X 引脚可限制上的浪涌电流
    来防止进一步的内部自举二极管。

    我们没有安装这些电阻器。

    5) 5)当我们明确复制参考设计时、您将看到 DRV8332周围有很大的空间、与参考中的空间完全相同。

    您将看到引脚19至23周围发生了主放电。 此吹气发生两次。

     

    6) 6)我们使用热双面粘合剂将45mm x 45mm x 10mm 散热器安装到芯片上、并将散热器拧紧到芯片上以进行良好的测量。 散热器通过螺钉接触接地。

    如果内部反激式二极管无法正常工作、我在相位中添加了快速恢复二极管、但仍会发生第3次和第4次熔断。

    我们注意到、当 PWM 达到250时会发生烧断、因此我们现在将其限制为200、但这满足了我们的需求。

    我们注意到、当我们在 PWM 上达到250时、发生了一些奇怪的事情、它设法破坏了我们的 CAN 总线、我猜 VDD 会被某种方式弄乱、CAN 总线会共享从 VDD 降到5V 的电压。 DRV8332是否不喜欢250电平并拉入 VDD?

    最后一个注释/查询是关于更新 PWM 和 RST 信号的顺序。 是否需要小心地将所有 RST 设置为 false、然后在 A B C 上设置 PWM 后仅设置 TRU、是否有最佳序列?

    非常感谢

    Dennis

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    尊敬的 Dennis:

    我之前应该已经问过、但感谢您提到数据表版本。 SLES274B 是 DRV8332-HT (高温)、而我的问题是针对 DRV8332 (具有数据表 SLES256E 的工业应用)。 这些器件虽然相似、但有一些差异。

    您的帖子现在将被发送至支持 DRV8332-HT 的组。 我希望我提出的问题对他们有所帮助。
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    您好、Rick、

    我知道的是我们使用的是 DRV8332DKD 芯片、我不知道这是 HT 芯片还是工业芯片。

    最好

    Dennis
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    我检查并相信我们使用的是工业版本。

    数据表看起来非常相似。 我甚至没有注意到有什么不同。

    最好

    Dennis
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    尊敬的 Dennis:

    感谢您确认使用的是工业版本。

    "5)当我们明确复制参考设计时、您将看到 DRV8332周围有很大的空间、与参考中的空间完全相同。

    您将看到引脚19至23周围发生了主放电。 此吹气发生两次。"

    是否附加了图像? 如果是、请重新发送。 它没有出现。

    "6)我们使用热双面粘合剂将45mm x 45mm x 10mm 散热器安装到芯片上、并将散热器拧紧到芯片上以进行良好的测量。 散热器通过螺钉接触接地。"

    在封装的角落、您是否可能对散热器的封装施加过大的应力、或在角落处接触不够好? 有关 散热器建议(间隔套和最大压力)、请参阅 e2e.ti.com/.../229936文章。

    "最后一个注释/查询是关于 PWM 和 RST 信号的更新顺序。 是否需要小心地将所有 RST 设置为 false、然后在 A B C 上设置 PWM 后仅设置 TRU、是否有最佳序列?"

    PWM 和 RST 信号可随时以任何顺序更改。
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    尊敬的 Dennis:

    请允许我在之前的答复中澄清一个意见。 散热器建议帖子适用于 DRV8332和 DRV8432。