[参考译文] DRV8300：可以将 DRV8300用作非升压栅极驱动输出(P FET 为一半、交换高侧和低侧输入/输出)？

您好、Alicia、

根据我的理解、仅当为实际的高侧和低侧相位驱动器使用双 N-FET 时才需要自举、对吧？ 很抱歉、我们希望使用具有不同相位驱动器架构的 DRV8300、特别是高侧驱动器使用 P-FET、而低侧驱动器仅使用 N-FET。 因此、我认为不再需要自举电压、因为高侧 P-FET 的栅极只需要在0V 和电机电源轨之间摆动。  

不过、问题是、我们必须将进入高侧控制输入引脚的控制信号反相。 我们认为、我们可以改用 MODE 引脚并对低侧控制输入引脚进行反相、而不是对电机控制固件中的信号进行反相、而是改用拓扑中高侧 P-FET 栅极的"低侧"控制引脚。 然后、"高侧"引脚将控制我们拓扑中的实际低侧 N-FET、因此不需要升压电压轨、因为低侧 N-FET 源的电压保持在0V。

请告诉我、如果这仍然令人困惑、我可以用一个粗略的示意图来说明我的想法。

此致、

Amaresh

您好、Amaresh、

如果您可以提供一个展示您所描述内容的原理图、那将会很好。  

此外、请记住、DRV8300具有 BSTx 欠压保护功能、有关更多详细信息、请参阅数据表的第8.3.3节"栅极驱动器保护电路"。 总之、如果某个 BSTx 引脚上的电压降至 VBSTUV 阈 值以下、则会通过禁用 GHx 引脚来禁用该相位的高侧外部 MOSFET、直到 BSTx 欠压条件清除。 因此、为了将自举电压保持在欠压锁定之上、必须选择一个尺寸合适的自举电容器。

最棒的

~Alicia

您好、Alicia、

下面是一个原理图片段、展示了我们计划如何使用 DRV8300：

为了完成升压欠压锁定、我们将所有源极反馈引脚接地、并且绕过内部升压二极管、因为 P-FET 位于高侧时不需要该二极管。 我认为、只要有足够的局部电容来使电机电源轨在更高的开关频率下保持稳定、这应该允许使用任何高于 Vbstuv 最大阈值的电压轨。 原理图片段中还有一些其他详细信息/说明、但如果您需要更多信息、请告诉我。

此致、

Amaresh

您好、Amaresh、

感谢您分享原理图。 我 将在下周结束前提供一些反馈。

最棒的

~Alicia