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器件型号：DRV8889-Q1 根据数据表、所有引脚均可通过 HBM 2000V。HBM ESD 枪的电路为100p + 1.5k。
现在、在 AOUTx/Boutx 上进行了8000V、150p+330R ESD 测试的新案例、我们在每个引脚上添加了一个电容4.7nF (C2)、用于 ESD 保护。 此 PIN 是否可以通过上述8000V？如何进行计算/仿真？
根据我的理解、IC 中有一个内部齐纳二极管或类似的器件来钳制电压尖峰。该齐纳二极管的功率电容器以及 C1 R1 C2可确定电压电平可通过的高电平。
通过检查我的观点、如果有任何缺失、请纠正我。请提供 ZD1的参数以供进一步分析。非常感谢！
