[参考译文] DRV8320R：GHx 和 GLx 之间的死区时间特性

如果我在 Vinhx 和 VinLx 之间添加1us 软件死区时间、如下图所示。

DRV8320的硬件死区时间为100ns。

那么、GLx 和 GHx 引脚之间的总死区时间是多少？

1100ns？ 还是仅1000ns？

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我同意您的看法、即数据表对总死区时间尚不清楚。 死区时间的定义如下： 它表示可以插入一个额外的数字死区时间(tDead)、因此听起来硬件器件的死区时间为100ns 是可选的、但这不是因为没有办法选择或不选择要让该额外的100ns 死区时间。 因此、假设您在使用非 SPI 驱动器、那么您示例中的总死区时间为1100ns。

TI 工程师：您能否修改数据表、以便让用户更清楚地看到、SPI 器件可以从40ns 到400ns 数字死区时间、非 SPI 驱动器可以从100ns 到100ns 数字死区时间、因为最短死区时间和器件可能会在需要时自动增加更多死区时间。

问题：如果驱动器使用 VGS 电压监控器来确定切换输出的正确时间、那么为什么它需要提供额外的100ns (或 SPI 版本为40到400ns)死区时间？ 太令人困惑了。

布赖恩

"DRV832x 系列器件使用 VGS 电压监控器来测量 MOSFET 栅源极电压、并确定正确的开关时间、而不是依靠固定的时间值。 利用该功能、栅极驱动器的死区时间可以调整系统变化、例如温漂和蒙斯 SFET 参数变化。 可以插入一个额外的数字死区时间(tDEAD)、并可通过 SPI 器件上的寄存器对其进行调节。"

尊敬的先生：

感谢您的快速回复。

请确认我的理解(以下3种情况)是正确的。

 ※我们将使用  DRV8320RH (H/W 器件)  

情况1)应用的输入死区时间足够长

      DRV8320RH (100ns)设置的死区时间和 MOSFET 的下降和上升时间：

例如、如果   Vinhx 和 VinLx 之间的 MCU 的死区时间与我附加的图像一样为1us、

MOSFET 的下降时间为20ns、MOSFET 的上升时间为40ns、

因此 GLx 和 GHx 之间的死区时间为1us。

CASE2)应用的输入死区时间短于  DRV8320RH (100ns)设置的死区时间

      和 下降时、MOSFET 的上升时间短于  DRV8320RH 设置的死区时间  ：

如果   Vinhx 和 VinLx 之间的 MCU 死区时间为零、

但 MOSFET 的下降时间为20ns、MOSFET 的上升时间为40ns。

然后、 DRV8320RH 将 GLx 和 GHx 之间的死区时间设为100ns。

情况3) 施加的输入死区时间短于  DRV8320RH (100ns)设置的死区时间

      但  MOSFET 的下降和上升时间长于  DRV8320RH 设置的死区时间  ：

如果   Vinhx 和 VinLx 之间的 MCU 死区时间为零、

但 MOSFET 的下降时间为200ns、MOSFET 的上升时间为400ns。

然后、DRV8320RH 在 GLx 和 GHx 之间自动添加超过100ns 的死区时间、直到 VDS-LOW 关闭。