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[参考译文] DRV8908-Q1EVM:与作为 SPI 控制器的 MSPM0进行通信时出现问题

Guru**** 669750 points
Other Parts Discussed in Thread: DRV8908-Q1, DRV8908-Q1EVM, LP-MSPM0G3507
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1215310/drv8908-q1evm-issues-communicating-with-mspm0-as-spi-controller

器件型号:DRV8908-Q1EVM
主题中讨论的其他器件:DRV8908-Q1、、 LP-MSPM0G3507

大家好、

我正在构建用于与该 EVM 通信的 SPI 驱动器、但遇到了调试问题并难以调试。 我已经取走了一个库存 EVM、并去掉了如下所示的电阻器 R10、R11、R12和 R13、以将 DRV8908-Q1与板载 MCU 分离。

然后、我对器件执行两次 SPI 写入、一次写入可禁用所有通道的开路负载诊断、一次写入应将 HB1_HS_EN 位设置为高电平。 请参阅下面的 Saleae 图表、其中显示了该事务。 很遗憾、我没有看到 OUT1信号达到我根据此事务预期的高电平。

当我将未修改的库存 EVM 与 GUI 一起使用时、再次注意禁用 OLD 诊断、我看到以下事务会触发 HB1_HS_EN。 如您所见、这实际上确实使 OUT1变为预期的高电平。

有人能帮助我理解我可能会哪里出错、以及为什么我没有在 MSPM0驱动程序的 MISO 线路上看到响应?

谢谢!

- Andy

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    Andy、

    观察绘图中的 nSCS、我看到低电平前有一个窄脉冲。  如果您查看数据表中的图1、会发现有一个 t (HI_nSCS)规格、这是变为低电平之前的最短高电平时间。  见表7-6。  您的通信是否违反此协议?

    此致、

    Ryan

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    您好、Ryan、

    不错、原始图违反了 THI_nSCS  规格(高电平时间为80ns、所需时间为600ns)。 我已更正此问题、但仍然看不到器件的任何响应。  请参阅下面的 Saleae 图。 如果您对设置有任何其他问题、请告诉我、我刚刚连接了 LP-MSPM0G3507和 DRV8908-Q1EVM 之间的接地和所有 SPI 线路  、并将12V 施加到 VBAT 电压轨。

    此致、

    Andy

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    Andy、

    VDD 引脚上是否有3.3V 或5V 电压?  这是器件的逻辑电源。  由于 SDO 输出为推挽式、因此这为 SDO 输出供电。  电源应与您的 MCU 电源匹配。   

    此致、

    Ryan

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    您好、Ryan、

    VDD 直接连接到 DRV8908EVM 上的3.3V (请参阅设计文件中的以下片段):

    我还确认了我的 SPI 外设也是3.3V (请参阅下面的 SCLK 捕捉、其中显示了数字和模拟跟踪捕捉):

    此致、

    Andy

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    您好、Ryan、

    我找到了这个问题。 常规调试错误... 在第一次测试(我违反了  Thi_nSCS) 与第二次测试(该测试修复了该违例)之间、我移除了 R14电阻器(nSLEEP)。 移除该引脚会导致 nSLEEP 引脚悬空、从而转换为器件处于睡眠状态。  

    下面是一个有效的 Saleae 日志:

    此致、

    Andy