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器件型号：DRV8350F 主题中讨论的其他器件：CSD19532Q5B、
大家好、
以下是客户可能需要您的帮助的问题：
驱动由 CSD19532Q5B 形成的三相 H 桥时、DRV8350FH 栅极驱动器是否在 MOSFET 的 GS 之间需要一个额外的电容器？ 由于一些 TI 设计添加了2200pF 电容器、而有些设计没有。 为什么会有这种差异？
客户希望制造 PWM 频率在70kHz 至20kHz 左右的三相电机驱动器。 是否需要该 GS 电容？
您能帮助检查这个问题吗？ 谢谢。
此致、
樱桃
