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[参考译文] DRV8320R:IDRIVE 特征

Guru**** 1127450 points
Other Parts Discussed in Thread: DRV8320
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1211208/drv8320r-idrive-characteristic

器件型号:DRV8320R
主题中讨论的其他器件:DRV8320

我们将 DRV8320RH 用于电机驱动器电路。

1)我想知道的是1)在 DRV8320RH 时实现的 IDRIVE 方法、

2) 2)在 INHx 和 INLx 之间应用软件死区时间时的 IDRIVE 行为。

  

1) 在 DRV8320RH 下实现的 IDRIVE 方法

根据技术文档(了解智能栅极驱动器、slva714d)、

IDRIVE 方法有2种、例如多个开关、电流源。

 在 DRV8320RH 处、IDRIVE 的实现方法是什么?   多个开关或电流源。

2) 2) 当我们在 INHx 和 INLx 之间应用软件死区时间时的 IDRIVE 行为

如果我们从 MCU 应用软件死区时间(1us)(因此、INLx 关断和 INHx 导通不会同时开关)、

什么是 IDRIVE 行为? 情况2的情况1?  

 ①情况1

  ②情况2

    

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    尊敬的 Yeonsu:

    1) 在 DRV8320RH 处实施的 IDRIVE 方法

    我需要研究一下这个问题、我的目标是在明天之前得到您的回应。

    2) 当我们在 INHx 和 INLx 之间应用软件死区时间时的 IDRIVE 行为

    该器件的行为 与第1种情况类似。

    此致、

    约书亚

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    感谢您的快速回复。

    问题2)、那么、这个时序响应是否正确?

    ( VGHx 的上升沿 延迟至高侧 Idrive 的起始点)

     ※设定值

       。 开通时间=200ns、关断时间=200ns

       。 DRV8320RH 的死区时间= 100ns

       。 MCU 的软件死区时间= 1us

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    尊敬的 Yeonsu:

    我深表歉意,我犯了一个错误,第2种 情况将是更类似的行为,而不是第1种情况。

    为了防止  开关 MOSFET 的寄生耦合  打开相反的 MOSFET IstroNG、 在 MOSFET 开关过程中、一个持续 TDRIVE 时长的强电流将下拉相反的 MOSFET。

    1) 在 DRV8320RH 处实施的 IDRIVE 方法

    DRV8320RH 使用多开关 IDRIVE 实现。

    此致、

    约书亚

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    你好、Joshua、

    感谢您的答复。

    您能解释一下吗?

    我想知道 GLx 引脚和 GND 之间的低侧栅极信号线的等效电阻

    针对高侧接通时的 TDRIVE (下拉 ISTRONG)持续时间。  

    根据 DRV8320的数据表、

    当 VVM 大于12V 时、ISTRONG 的峰值为2A、VGLx 为11V。

    然后、我想等效电阻约为11V/2A=5.5 Ω。  

    是这样吗?

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    尊敬的 Yeonsu:

    抱歉、我们无法在 GLx 引脚和 GND 之间提供低侧栅极信号线的确切等效电阻

    您使用的等式是正确的、但是由于在使用 ISTRONG 之前 FET 必须已关闭、所以当 ISTRONG 处于活动状态时、VGLS 将低于11V。

    谢谢!

    约书亚