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器件型号：DRV8343-Q1 您好、专家！
DRV8343S-Q1正在客户侧接受评估。 该应用程序是一个整体式的。
在数据表中、它显示了充电器泵可用于反向电源保护、请参阅下面的屏幕截图：
客户不想将 MOSFET (用红色电路标记)更改为2个 MOSFET、如下面的屏幕截图所示、这种设计是否存在风险？ 您能为客户检查一下吗？ 谢谢。
此致
郭松珍
您好、专家！
DRV8343S-Q1正在客户侧接受评估。 该应用程序是一个整体式的。
在数据表中、它显示了充电器泵可用于反向电源保护、请参阅下面的屏幕截图：
客户不想将 MOSFET (用红色电路标记)更改为2个 MOSFET、如下面的屏幕截图所示、这种设计是否存在风险？ 您能为客户检查一下吗？ 谢谢。
此致
郭松珍
尊敬的 Songzhen：
客户建议的2 MOSFET 配置将不起作用、因为背对背二极管会阻止电流流动。 为了使用电荷泵驱动反向电源保护、必须允许电流首先流过 MOSFET 的体二极管、以便为驱动器提供所需的电源、从而能够为器件加电并启用电荷泵。
下图对此进行了说明：最初、当首次施加 VBAT 时、电流会如蓝色 箭头所示流过 反向保护 MOSFET 的体二极管、为器件的导通提供足够的电压。 一旦器件开启且电荷泵正常工作、就将使用电荷泵主动开启反向保护 MOSFET、如绿色箭头所示。
根据客户提出的解决方案、电流将无法流过反向保护 MOSFET 的体二极管、这会在施加 VBAT 时禁止器件导通、因为二极管会阻止电流流动。 这会导致电荷泵无法导通、从而导致 反向保护 MOSFET 无法导通。
此致、
Anthony Lodi