[参考译文] DRV8770：1uF 以上自举电容器

Joshue、您好！

您是否需要3uF 电容器以高栅极电流驱动大功率 FET？ 如果需要、那么为什么考虑添加电阻器来限制为3uF 电容器充电的二极管电流？ 您需要更大的输出电流、但又不需要更大的输入电流？  

使用3uF 电容器时、您无法使用内部二极管、只能忘记串联电阻器来限制二极管电流。

您的 GVDD 是什么？ 如果电压小于20V、我会使用外部肖特基二极管为带 GVDD 的3uF 电容器充电。 注意：该驱动规格具有高达20V 的自举最大值、但大多数 FET 的最大栅极电压为19V 或更低、因此请注意。  

布赖恩

你好、Joshua、

我同意 Brian 的评论。  

我可能不知道这个术语、但您是指高频和低频桥臂？ 为什么需要3uF 电容器。

此致、

巴勃罗·阿梅特

我们正在尝试设计一个桥臂以10-20kHz 的频率开关、而另一个桥臂以60Hz 的频率开关。 我们在 MOSFET 上的栅极电荷很小、因此不一定需要很大的电流、但对于慢速开关频率、我们需要较大的电容器。 栅极驱动器有一个免责声明、即需要采取超过1uF 的预防措施来限制电流(我认为是通过二极管)。 那么、在外部添加整个二极管和 Rboot 是否是更好的选择？ 我当时想只添加一个 Rboot 即可解决问题、但我真的不知道应该在何处添加它、因为二极管是内部的。

由于应用手册中的自举计算除以 Fsw、因此我们需要一个更大的电容、因为它仅为60Hz。栅极驱动 VDD 为9V。

Unknown 说：

栅极驱动器声明：需要采取超过1uF 的预防措施来限制电流(我相信是通过二极管获得的)。 那么、在外部添加整个二极管和 Rboot 是否是更好的选择？ 我本来以为只添加一个 Rboot 就可以解决这个问题、但我真的不知道该在哪里添加它、因为二极管是内部的。

添加一个与引导电容器串联的电阻器将限制二极管电流、但也会使 Qtotal 的公式3无效、因为 ILBS_TRAN 不再是220uA。

使用电阻器、我认为在 PWM 较高占空比时电容器不会充满电、因为在 GLx=H 期间、没有太多时间使用串联电阻器为电容器充电。 您可能需要为此应用使用外部二极管。

BTW、数据表应指出 PWM 必须小于100%占空比、但并未提及。 引导陷阱。  

布赖恩