你好
目前、我在使用 DRV8353RS 驱动电机时遇到了一些问题。
当电源为60V 时、电机的正向和反向均可正常运行。 但是、当我将电压升高到80V 并且电机运行大约20秒时、DRV 和 MOS 都击穿。 警方怀疑 MOS 直接开启，导致 DRV 烧坏。
如上图所示、 将死区时间设置为400ns、Idrive 300mA/1100mA、可以在上面的程序中看到更多设置。
上面的示波器显示了波形 ：红色=GHA-GND 信号、蓝色=GLA-GND 信号、 为什么上升沿和下降沿的死区在时间上不同？
但我不明白60V 电源不会引起问题,但80V 会烧 MOS 和 DRV。
我真诚地希望得到您的帮助。
我将死区时间设置为400ns、 测量过程中会有一些错误。
如上所示、死区时间不应该在两侧都存在？ 但在实际测量中、只有一侧可看到400ns 的死区时间、另一侧不能看到。
如上所示,右侧图像是 MOS 的特征,左侧图像是计算 Idrive 的公式,基于计算 Idrivep 且 Idrived 大于1.45A。 是正确的？
80V 应用于 FET 漏极 和 VM。
VDrain 上的电容为100V。
现在、人们怀疑管道一侧没有死区时间。
尊敬的 Sergio Zaza：
非常感谢您的答复
根据这种解释,如果 Idrive 太低,会对 MOS 有一定的影响。 TDRIVE 时间的设置基于什么？
您好、Wang、
目前，怀疑管道一侧没有死区时间。
上面的示波器显示了波形 ：红色=GHA-GND 信号、蓝色=GLA-GND 信号、 为什么上升沿和下降沿的死区在时间上不同？
下面的示波器波形是失序的、表明 GHx 变为低电平和 GLx 变为高电平之间没有死区时间。
例如、GHx 是在50V/div 的条件下测量的、而 GLx 为10V/div、那么没有 SHx 波形可供查看上部 FET 何时关断或下部 FET 何时导通。 请记住、查看 GHx 至 GND 不足以知道 FET 何时关断、而是查看 GHx 相对于 SHx (即 FET 的源极)的关系、以获得 VGS 波形、该波形告知 FET 驱动栅极电压、 然后可以得出有关 GHx 变为低电平至 GLx 变为高电平时死区时间的结论。
布赖恩
嗨、 Akshay
非常感谢您的答复。
正如您在我的新图片中看到的、我测试的波形为 GH_C 到 DGND 以及 GL_C 到 DGN。
您的意思是这项测试是错误的。
测试 MOS 管和 MOS 管波形的正确方法是什么？
如果我测试 GH_C 到 SH_C 并且 GL_C 到 SPC 是否正确？
希望得到您的回复。
