我们正在构建新的驱动器、并正在测试固件、读取寄存器的状态后、我们可以注意到故障寄存器1已全部清除、但故障寄存器2为511的十进制值。 此外、即使未连接电机/甚至未向驱动器提供任何信号、也会出现过热警告、IC 的物理温度似乎小于40-50度、甚至可能更低。
产生此故障的原因可能是什么? 由于我们正在测试、给出给总驱动的电流被限制在500mA、并且消耗的总电流与 MCU 一起几乎不能达到最大60mA
请建议需要检查哪些内容才能清除所有警告
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我们正在构建新的驱动器、并正在测试固件、读取寄存器的状态后、我们可以注意到故障寄存器1已全部清除、但故障寄存器2为511的十进制值。 此外、即使未连接电机/甚至未向驱动器提供任何信号、也会出现过热警告、IC 的物理温度似乎小于40-50度、甚至可能更低。
产生此故障的原因可能是什么? 由于我们正在测试、给出给总驱动的电流被限制在500mA、并且消耗的总电流与 MCU 一起几乎不能达到最大60mA
请建议需要检查哪些内容才能清除所有警告
您好、Alicia。
感谢您的答复。
我已经使用1uF 电容器 X5R 50V(零件号 CL10A105KB8NNNC)作为大容量电容器,唯一的变化是 VM 和 GND 之间的10uF 不使用,但使用了4.7uF ,我打算更换。
即使驾驶员不是暖的,也有 OTW 的报告,与室温相比,不是很暖
我正在使用一个5m Ω 电流感应电阻器、其设置为40V/V、但仅在相位 C 上会显示电流感应警告
是的,IDRIVE 值是默认值,似乎足够高,让我尝试减小这些值,并尝试按照示例应用程序计算。
PS:我能够测试一个电机,但它不能自己启动,我不得不手动旋转它启动后,它工作. 我正在使用非常小的电机进行测试、MCU 电源几乎不消耗70mA 的总电流。 一旦我确信我计划使用15A 电机进行测试
您好、Amrith、
是的 IDRIVE 值是默认值,似乎足够高,让我尝试减少这些值,并按照示例应用程序计算进行尝试。
根据您使用的 MOSFET 的 Qgd 不同、该器件的默认 IDRIVE 设置可能会导致器件的 GHx 和 GLx 压摆得太快。
我需要了解导致 OTW 触发的原因、并打算在本周结束之前提供更新。
此致!
~Alicia
谢谢 Alicia
这些是写入 SPI 寄存器后的值
ADR_FAULT_STAT = 0
ADR_VGS_STAT = 511
ADR_DRV_CTRL = 120
ADR_GATE_DRV_HS = 1023
ADR_Gate_DRV_LS = 0
ADR_OCP_CTRL = 896
将提供 IDRIVE 和 TDRIVE 计算值的更新。 希望这将清除大量故障、
你可以注意到一件事是 GATE_DRV_LS 寄存器即使在写入一些值后也是零,我目前正在测试1x PWM 以测试硬件,稍后我们将切换到3xPWM。 您能否告诉我为什么栅极驱动 LS 即使在写入 一些值(11位、甚至定义值也不为零)后仍然为零?
您好、Amrith、
Unknown 说:ADR_FAULT_STAT = 0
ADR_VGS_STAT = 511
ADR_DRV_CTRL = 120
ADR_GATE_DRV_HS = 1023
ADR_Gate_DRV_LS = 0
ADR_OCP_CTRL = 896
为清楚起见、这些是十进制值、对吧?
似乎我的 SPI 读/写不正确
您能否更详细地描述正在发生什么情况(是否未正确访问 SPI 寄存器等)、这将有助于缩小问题发生的范围? 您是否能够共享您正在进行的 SPI 读写的波形(来自逻辑分析仪)?
此致!
~Alicia
您好、Alicia。
对不起 Alicia ,我忘记更新 SPI 模式,意识到这是 SPI 模式1而不是 SPI 模式0
这些是默认值(只有两个寄存器与数据表不匹配)
是所有值均为十进制
ADR_DRV_CTRL = 0 (与默认值匹配)
ADR_GATE _DRV_HS = 1023 (匹配默认值)
ADR_GATE _DRV_LS = 2047 (匹配默认值)
ADR_OCP_CTRL = 345 (匹配默认值)
ADR_CSA_CTRL = 3267 -->不匹配默认值(643)!
ADR_CSA_CTRL = 3267 -->与默认值不匹配!
只有这个寄存器现在有一个不同的值后启动,你能建议为什么这可能发生?
还有一个问题、在进行任何 SPI 事务之前、信号 SEMM 会有噪声、但在进行读取或写入之后、信号不再显示任何噪声
您好、Amrith、
Unknown 说:ADR_CSA_CTRL = 3267 -->不匹配默认值(643)!
将3267转换为二进制文件时、会得到(1100 1100 0011) 2、这总共有12个数据位、我对 MSB 会是什么很好奇、因为它只应有11个数据位、如下所示:

除此之外、忽略将提供 十进制(100 1100 0011) 2或1219的 MSB、下面突出显示的位似乎与默认值不同:

从前面提到的情况来看、
我使用的是一个5m Ω 电流感应电阻器,其设置为40V/V [/报价]您写入该寄存器是否可能 、这可能是它不处于默认值的原因?
此致!
~Alicia
您好、Alicia。
感谢您检查这些值。
似乎可以解决相应的值和 SPI 通信问题。 由于 SDO 线路需要一个上拉电阻器、我们确实遇到了一些问题、但这个问题已经得到了初始解决。 我们电路板的焊接似乎也有问题。
我已经完成了1x PWM、3倍 PWM 和6倍 PWM 控制
对于3个 PWM、换向表将 INLx 和 INHx 显示为输入、这意味着3个 PWM 需要所有6个 PWM/GPIO 输入。 对于6X PWM 来说似乎就是这种情况。 然而说明说 INHx 是用来控制高侧和低侧 MOSFET。
请为我澄清一下
谢谢!
Amrith
您好、Amrith、
关于换向表、 所示为给定一些 INLx/INHx 输入的可能 GHx/GLx/SHx 输出。 在使用3x PWM 模式的情况下、INLx 用于将 半桥置于高阻态。 如果不需要高阻态、则可以将 INLx 连接到逻辑高电平。

与使用所有六路输入来控制 GHx/GLx 的状态的6x PWM 模式不同、对于3x PWM 模式、INHx 决定 GLx 是否为高电平、GHx 是否为低电平、或者 GHx 是否为高电平、GLx 是否为低电平。 3x PWM 的真值表证实了这一点、因为我们可以看到 INLx 仅确定 GLx 和 GHx 是否都被拉低且 SHx 是否处于高阻态。 GHx/GLx 是否拉至高电平仅取决于 INHx 是高电平还是低电平、因为对于这两种情况、INLx 都是高电平。

此致!
~Alicia