我们正在检查 DRV8350的运行情况。
DRVV8350用于三相桥电路中。
我们发现 GHx 和 SHx 之间的电压为-2V (50纳秒)、超过了最大额定电压。
当电机电流为负时、底部 FET 关闭时会产生上述电压。
不会改变输出电压。
对于为 FET 的栅极和漏极之间的电容充电、我认为对于具有外部栅极电阻器的栅极驱动器而言、GHx 和 SHx 之间的电压会瞬间变为负值、 但 GHx 和 SHx 之间的电压是否可以满足-0.3V 或更高的标准?
为什么 GHx-SHx 两端的电压低于-0.3V、这是不可接受的?



