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器件型号：DRV8353R 主题中讨论的其他器件：TMS320F28379D、 DRV8353
我们有一个使用 TMS320F28379D 处理器、DRV8353SRTAT 和使用 Infineon IPP051N15N5 MOSFET (6)的3个半桥的定制电路板。 使用 Matlab/ Simulink 的 ePWM 模块、以20kHz 的频率运行时、我们会在将 enable true 后立即得到 DRV 故障。 SDO 上显示的子故障包括 GDUV 和/或 GDF。 如果我将 PWM 控制切换到较慢的运行 GPIO 输出(3高和3低)、那么如果我在 SPI SDI DRV 控制字(reg2位8和/或9)中设置 DIS_GDF、我可以避免该故障。 我确实具有 SPI SDI 寄存器写入功能、并对 IDRIVE、TDRIVE 和死区时间进行了实验。 我的问题是(1)我过早启动 PWM 开关、(2)栅极驱动电压可能不正确、或(3)我的控制设置有误。 我包含了各种数据的示波器截图。 对于这些情况、总线电压为24V 直流。 我们的电机尚未连接到三相输出。 请提问。
Photo5811是2个高侧门开关(100 Hz 和50%占空比)，关闭电压为24伏(VM)，导通电压为35伏(VCP)。 YEL 表示栅极 A hi、BLU 表示栅极 B hi、VIO 和 GRN 表示栅极 B lo 和栅极 A lo、它们不是在
Photo5809是仅命令栅极低(100 Hz、50%占空比)的情况。 VIO 显示栅极 B 低响应(GND 和11伏)、而 BLU 显示栅极 B 高响应(奇数查看)
S·阿贝尔
