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尊敬的专家:
我的客户正在考虑 DRV8251和 DRV8251A、有一个问题。
如果您能提供建议、我将不胜感激。
——
关于 DRV8251和 DRV8251A、
您能告诉我 MOSFET (高侧和低侧)导通电阻的最大值吗?
数据表仅描述了典型值。
——
感谢您提前提供的巨大帮助。
此致、
真一市
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尊敬的专家:
我的客户正在考虑 DRV8251和 DRV8251A、有一个问题。
如果您能提供建议、我将不胜感激。
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关于 DRV8251和 DRV8251A、
您能告诉我 MOSFET (高侧和低侧)导通电阻的最大值吗?
数据表仅描述了典型值。
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感谢您提前提供的巨大帮助。
此致、
真一市
您好、Brian、
这是一个客户要求、所以我不知道细节、但我 大体上要评论一下。
当 MOSFET 的导通电阻增加时、VM 电压降低。 我认为这会增加发热并降低电机的扭矩。
因此、我认为有必要考虑最差的值。
您好、Pablo、
您能否提供 DRV8251的最大 Rdson。
DRV8251的 Rdson 是否 为 370mΩ)Ω+(370mΩ Ω?
客户想知道 DRV8251和 DRV8251A 之间的最大 Rdson 是否存在差异。
感谢您的大力帮助与合作。
此致、
真一市
信一市
DRV8251的 Rdson 值是否与 DRV8251A 的值相同( 370mΩ+ 370mΩ)Ω 或其他值?
A 型号和非 A 型号的 Rdson 相同。
此致、
巴勃罗·阿梅特
当 MOSFET 的导通电阻增加时,VM 电压将降低。
您好!
您能否提供有关 FET 导通电阻增加(即 FET 体温升高)、VM 电压降低的参考资料? 在本例中、我假设 VM 是由外部源提供的。
布赖恩
您好、Brian、
DRV8251和 DRV8251A 具有内置 H 桥。
当 VM 是输入时、它将通过内置 FET 输出到电机。
因此、VM 电压应下降内部 FET RDSON 乘以电机电流。
当我们将 OUT 引脚电压定义为 VM
VM'= VM-(Rdson x ImMOTOR)
因此、随着 Rdson 的增加、VM'减小、功耗增加。
我不知道更多信息、因为具体取决于客户。
此致、
真一市