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[参考译文] DRV8251：MOSFET 导通电阻的最大值

admin
Guru**** 657930 points
Other Parts Discussed in Thread: DRV8251, DRV8251A, DRV8231
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1236995/drv8251-maximum-value-of-mosfet-on-resistance

器件型号：DRV8251
主题中讨论的其他器件：、 DRV8231

尊敬的专家：

我的客户正在考虑 DRV8251和 DRV8251A、有一个问题。

如果您能提供建议、我将不胜感激。

——

关于 DRV8251和 DRV8251A、

您能告诉我 MOSFET (高侧和低侧)导通电阻的最大值吗？

数据表仅描述了典型值。

——

感谢您提前提供的巨大帮助。

此致、

真一市

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    TI__Guru**** 657930 points
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    尊敬的 Shinichi：

    根据我们的特性数据、8251A 和 DRV8231 ~440mΩ 的绝对最大 Rdson 为~370mΩ Ω。 这些最大规格是通过少量样片获得的、因此器件间的差异会更改这些值。 由于数据表中未提供这些规格、我们无法保证它们始终准确。

    此致、

    巴勃罗·阿梅特

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    根据我们的图表数据，8251A 的最大 Rdson 为~370mΩ μ V[/报价]

    您好、Pablo、

    370m Ω 的 ABS Rdson 低于列出的典型值450 Mohms，这是没有道理的。 你在哪里得到这个370mohms？

    布赖恩

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    Brian：  

    我提供的 RDSon 测量值是根据 FET 而不是 LS+HS FET 得出的。 对于该器件、HS 和 LS 的 RDSon 是相同的。 因此、添加总最大 Rdson 将为740mΩ Ω。

    此致、

    巴勃罗·阿梅特

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    非常感谢、现在很有道理。

    布赖恩

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    您好、Pablo、

    感谢您的答复。

    我可以确认一下。

    DRV8251A Rdson (H+L)= 370mΩ Ω 370mΩ Ω 740mΩ

    您提到了 DRV8231、而不是 DRV8251。

    您能告诉我 DRV8251的 Rdson。

    感谢您的大力帮助与合作。

    此致、

    真一市

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    信一市

    DRV8231将为440mΩ+ 440mΩ= 880mΩ Ω。

    Br、

    巴勃罗

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    您好、Pablo、

    我想确认 DRV8251的 Rdson。

    DRV8251的 Rdson 是否与 DRV8251A  370mΩ）Ω（370mΩ Ω 或其他值？

    请您告诉我。

    感谢您的大力帮助。

    此致、

    真一市

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    TI__Guru**** 657930 points
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    您好！

    我很好奇、您为什么不能在设计中使用典型的 FET 导通电阻？ 在这种情况下、由于热管理应具有高安全裕度、因此了解最大值为何至关重要？

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    TI__Guru**** 657930 points
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    您好、Brian、

    这是一个客户要求、所以我不知道细节、但我 大体上要评论一下。

    当 MOSFET 的导通电阻增加时、VM 电压降低。 我认为这会增加发热并降低电机的扭矩。
    因此、我认为有必要考虑最差的值。

    您好、Pablo、

    您能否提供 DRV8251的最大 Rdson。

    DRV8251的 Rdson 是否 为 370mΩ）Ω+(370mΩ Ω？

    客户想知道 DRV8251和 DRV8251A 之间的最大 Rdson 是否存在差异。

    感谢您的大力帮助与合作。

    此致、

    真一市

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    TI__Guru**** 657930 points
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    信一市

    qingsheng zhong 说：
    DRV8251的 Rdson 值是否与 DRV8251A 的值相同（ 370mΩ+ 370mΩ）Ω 或其他值？

    A 型号和非 A 型号的 Rdson 相同。

    此致、

    巴勃罗·阿梅特

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    TI__Guru**** 657930 points
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    您好、Pablo、

    感谢您的答复。

    这是我想要获得的信息。

    我将与客户分享。

    感谢您的大力帮助与合作。

    此致、

    真一市

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    TI__Guru**** 657930 points
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    qingsheng zhong 说：
    当 MOSFET 的导通电阻增加时，VM 电压将降低。

    您好！

    您能否提供有关 FET 导通电阻增加(即 FET 体温升高)、VM 电压降低的参考资料？ 在本例中、我假设 VM 是由外部源提供的。  

    布赖恩

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    TI__Guru**** 657930 points
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    您好、Brian、

    DRV8251和 DRV8251A 具有内置 H 桥。
    当 VM 是输入时、它将通过内置 FET 输出到电机。
    因此、VM 电压应下降内部 FET RDSON 乘以电机电流。
    当我们将 OUT 引脚电压定义为 VM
    VM'= VM-(Rdson x ImMOTOR)
    因此、随着 Rdson 的增加、VM'减小、功耗增加。

    我不知道更多信息、因为具体取决于客户。

    此致、

    真一市