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[参考译文] DRV8300:即使空载、MOSFET 桥也会发烫

Guru**** 2478545 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1240926/drv8300-mosfet-bridge-hot-even-when-no-load

器件型号:DRV8300

您好

我将使用如下原理图设计一个 BLDC 驱动器。

我遇到了一个问题、即所有 MOSFET (P/N HYG015N10NS1TA)在空载时变热、~>50oC。 我尝试了许多差分栅极电阻器、但它仍然很热。

我的 PWM 频率是48kHz、如果我降低到24kHz、温度也会稍微下降到~47 - 48oC、

我具有很长的死区时间。 我认为它不是击穿电流导致的。 我还测量输出、Vgs 电压、并且一切看起来都正确(无振铃、 电压正确)。

我已尝试删除所有杂波器 RC (R131、C56、C151、R134……) 但没有任何变化。

我的电路与同一原理图不同、但使用了其他 MOSFET、器件型号(BSC030N10NS5SC)、但不会出现此问题。

请向我推荐一个解决方案。

顺便说一下、如果电桥输出没有过冲、振铃、我是否应该将栅极电阻器降低到非常低的值(例如1欧姆、2欧姆)以获得 MOSFET 的急剧上升时间、下降时间。 我想降低功率耗散。

谢谢

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    尊敬的 Dinh Le:  

    感谢您的提问。

    让我们浏览您的原理图、确定适合  HYG015N10NS1TA 问题和功率耗散查询的建议。

    目标是在一周结束前提供跟进。

    此致、

    -约书亚

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    谢谢 Joshua。 期待您的来信

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    感谢您的耐心、Dinh。

    浏览完您的原理图和两个 MOSFET 规格后、问题可能是 HYG015N10NS1TA 的开关时间要长得多、主要是因为它的 Qgd 比 BSC030N10NS5SC 大将近4倍(50nC 与14nC)。

    这种较长的开关时间、加上47欧姆的栅极电阻可能导致过热。  

     根据您的建议、如果使用 HYG015N10NS1TA、我建议您将栅极电阻显著降低到15欧姆以下、以增加栅极驱动电流、使 VDS 转换更快。  

    如果您还可以提供  MOSFET 开关的示波器测量值、以便更好地确定原因是否为该原因、将会有所帮助。

    此致、

    -约书亚

     

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    谢谢 Joshua。

    我已经尝试将栅极电阻降低到12欧姆、但仍然很热。  

    我使用了通过该工具 https://www.ti.com/lit/zip/slvrbm5计算的值。 但 它仍然很热。  

    您能否解释一下为什么 MOSFET 在空载时变热? 没有负载电流、没有击穿电流(因为死区时间长)。 那么是什么让它变热呢?

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    尊敬的 Dinh:  

    您能否提供使用 未发热的 BSC030N10NS5SC 的其他电路原理图  、以及两个 MOSFET 的 PCB 布局(如果您有可用)? 很奇怪的是、一个类似的 MOSFET 的工作情况比另一个好得多、因此也可能是布局相关的问题。  

    我们 会继续研究这个发热问题,并在可能的情况下提出可行的建议。

    谢谢、此致、

    -约书亚

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    你好,Joshua

    使用  BSC030N10NS5SC 的原理图与 HYG015N10NS1TA 完全相同 。

    此处是2块 PCB 的布局。

    https://1drv.ms/f/s!Ao2WcIDxKUWtkuJ1oET9Xf0iP06w6w?e=4PLVbB

    (由于我公司的政策、我删除了无关部分)

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    尊敬的 Dinh:

    谢谢你,不要担心,我明白。  

    添加此信息后、我的团队和我将继续调查此问题、并 希望我们尽快为您提供更新。

    此致、

    -约书亚