我叫大岛顺藏。 我已经获得高压电源电路过流检测保护专利、正在投入实际应用中。 在此过程中、我向《IEEE 固态电路杂志》提交了一份有关过流保护器件的论文。 然而，决定仅靠模拟评估不足以进行论文，有必要创建一个原型并检查其运作情况。 为了创建原型、我重新检查了电路、并降低了控制电路中使用的 FET 的耐受电压、从而减少了需要高耐受电压的 FET 数量。 但是、该电路和功率 FET 的工作原理未改变。 我准备了一个反映这些结果的仿真模型、但我不能在这里附上。
17.5mΩ@该仿真模型、500V 直流电源可并联5个商用功率 FET (650V 耐受电压、℃25m Ω)、并联10个相同功率 FET。 对于1000V 直流电源、以两级串联方式排列的相同10个并联功率 FET。 组合电阻均为3.5mΩ Ω(计算值)。测试评估是根据 AEC (汽车电子委员会)标准 AEC-Q100-012通过仿真进行的。 现在可以预见到以10ms 的间隔通过过流检测/中断测试超过100万次。 如果您向我发送您的电子邮件地址、我将通过电子邮件向您发送以下相关材料。 但是、仿真模型仍配置为采用 PSpice、未配置为采用 PSpice for TI。 为重新提交给 IEEE 而准备的文档(论文草稿)描述了过流保护方法的总体情况、因此我也会发送本文档。
[可发送的相关材料] ① 将功率 FET 放置在带500V 或1000V 电源的负载高侧时的过流保护电路模型(500V_TR125_W、1000V_TR125_W)。 ② "500V 至1000V 过流保护"(重新提交至 IEEE 的草案)
PS：在 Yazaki Corporation 工作时、我开发了一个使用12V 电源的8通道半导体过流保护器件。 TI 收到了量产订单、安装在 Toyota 的 Prius 中、安装数量已达到300多万个。 在2006年到2008的开发阶段、我曾三次访问 TI 总部进行设计评审。 退休后、我开发了一种新的过流保护器件、目标是将其安装在电动汽车中。 我希望能够再次与 TI 合作、期待您的配合。