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器件型号：DRV8323R 您好！
我设法看到了 TI 视频" 功率级保护、电流感应、效率分析和相关 TI 参考设计"(https://www.ti.com/solution/dc-input-bldc-motor-drive)中发布的信息。 下面附上了相关信息。
信息中指出、所选 FET 需要具有低 RDS_ON 以实现低导通损耗和低 Qg 以实现低开关损耗。
我是否可以知道在这种情况下、Rds_on 和 Qg 的值被视为低电平？
如果 Qg 过低、是否会影响 DRV8323RSRGZR 上的 Ivcp 值？
此致、
叶国龙
