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器件型号：DRV8889-Q1 尊敬的 TI 专家：
我已经知道 H 桥工作拓扑、如下所示。
在第一相、应导通 MOSFET 以将电流流向正向或反向。
第二相、要改变电流方向、应在死区时间内关断所有 MOSFET。
第三相、相对的 MOSFET 应再次导通。
我有一个关于在死区时间运行 H 桥的问题。
在第一相期间、电机(电感式器件)可以存储大小为 VM (VM-GND)量的能量
然后、在第二个阶段、电机应释放能量、即 VM 的数量。
因为我认为储存的数量和释放的数量应该没有区别。
但是、TI 应用手册指出、释放的能量大于该链接下存储的能量。
我不明白为什么 VL = VS + 2VD (参见第5页)
那么,你能确认我的问题吗?
※很抱歉因为我公司的政策没有附上图片。
