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[参考译文] DRV8320：泄漏问题

admin
Guru**** 1127450 points
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1253618/drv8320-leakage-issue

器件型号：DRV8320

大家好、

电机存在泄漏问题、驱动端出现非常大的杂散并且杂散不稳定、从而导致电机旋转异常。

(上图中中文为"PCB 铜厚度为1oz.、温升为20度、总线外导线宽超过149mil、MOSFET 的漏极应尽可能增大铜面积、从而增加 MOSFET 的散热。 DRV8320HRTV 使用 GND 覆铜来散热。 ")

您可以帮助 检查是否需要修改任何内容吗？  谢谢。

此致、

切里

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    TI__Guru**** 1127450 points
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    您好、Cherry：

    感谢您的提问。 客户通过 FET 推动了多少安培？ 他们是否也可以发送布局？ 我的理论是、这可能是由电感耦合导致的。

    此致！

    Eli

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    TI__Guru**** 1127450 points
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    TI__Guru**** 1127450 points
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    尊敬的 Eli：

    感谢您的支持。

    Fazhi 是同时在 E2E 和 E2ECHINA 上提出问题的客户、我们可以在这里继续讨论这个问题、如果有任何问题、请告诉我。

    谢谢。此致、

    切里

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    TI__Guru**** 1127450 points
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    尊敬的 Cherry、Fazhi：

    感谢您的澄清和布局！

    我们可以继续在这里讨论此问题，

    请关闭另一个主题、这样我的结尾没有混淆。  

    驱动端出现非常大的杂散和不稳定的杂散，导致电机异常旋转

    这些尖峰是否仅出现在一个电机连接上、还是全部 出现在三个电机上的电压尖峰？ EC2在布局中的什么位置？ 应将其靠近 MOSFET 放置。  流经 MOSFET 的电流是多少？  客户的 IDRIVE 是什么？ 更高的 IDRIVE 会导致更高的开关速度、有时会导致尖峰。 通过降低 IDRIVE 或在 GLx/GHx 引脚上添加一个10 Ω 电阻(如果 IDRIVE 处于最低状态)、可以解决此问题。 请告诉我这是否有帮助。

    此致！

    Eli