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器件型号:DRV8908-Q1 团队成员
您能帮助分享有关以下 DRV8908-Q1应用问题的反馈吗:
从下面的数据表说明中、转换率时间可通过 VOUT 电压变化计算得出、我们是否能理解外部电感负载接通时间为 Tdead+TPD+VM(90%-10%)SR?
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根据下面的数据表、我们是否可以通过压摆率设置来调整 MOSFET 体二极管导通时间?
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谢谢!
斯嘉利特
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团队成员
您能帮助分享有关以下 DRV8908-Q1应用问题的反馈吗:
从下面的数据表说明中、转换率时间可通过 VOUT 电压变化计算得出、我们是否能理解外部电感负载接通时间为 Tdead+TPD+VM(90%-10%)SR?
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根据下面的数据表、我们是否可以通过压摆率设置来调整 MOSFET 体二极管导通时间?
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谢谢!
斯嘉利特
Scarlett,
所有这些延迟都单独处理、并在数据表的第8.3.1.2节中概述。
如果半桥正在开关、则将添加 Tdead (图49)。 如果通过 SPI 命令输出进入不同的状态、则添加了 TPP (图50)。 压摆时间如图47所示。 如果输入命令要求更改输出、这些实际上会加在一起。
体二极管导通发生在死区时间期间以及 FET 完全增强之前。 因此、二极管在部分压摆时间内导通。 压摆时间越长、该时间就越长。 间接地来说、是调节体二极管导通。
此致、
瑞安