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[参考译文] DRV8701：DRV8701的 MOSFET 选择

admin
Guru**** 661510 points
Other Parts Discussed in Thread: DRV8701, CSD18542KCS, DRV8701EVM, CSD18532Q5B
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1251725/drv8701-mosfet-selection-for-drv8701

器件型号：DRV8701
主题中讨论的其他器件： CSD18542KCS、、 CSD18532Q5B

您好！

我们有使用 DRV8701的电机驱动板设计。 我们面临以下问题。

电机规格。 PMDC、24VDC、500W

当我们使用 CSD18542KCS MOSFET 时、电机打开命令 CSD18542KCS MOSFET 时的电机电压为24VDC。 在出现大量故障后、我们将此 MOSFET 替换为 IRFZ44N、这样就不会出现 MOSFET 烧写问题。  

请告诉我有关此问题的解决方案  

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    TI__Guru**** 661510 points
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    尊敬的 Supriya：

    选择外部 FET 时要考虑的因素是栅极电荷(Qg)、电荷泵电流容量(IVCP)和开关频率(fPWM)。

    栅极电荷也将取决于衰减模式(慢速或快速)。 计算栅极电荷后、就可以确定适合 FET 选择的 IDRIVE 电流。

    有关 MOSFET 选择的更多信息、请参阅数据表的第8.2.1.2.1节。  

    此致！

    大卫

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    TI__Guru**** 661510 points
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    您好！

    目前、VM 为24VDC、根据数据表、如果 VM > 12V、IVCP = 12mA。

    我们在 EN 处不使用任何开关频率、并且在电机浪涌电流时间观察到故障、因此我考虑 FPwm 为38KHz (数据表中提到了内部电流斩波)  

    考虑到上述值、则 QG < 315nC。

    对于 IRFZ44NSTR、QG 值为 67nC、小于315nC  

    同样、 CSD18542KCS QG 值为44nC、低于315nC。

     在 使用 DRV8701EVM CSD18532Q5B MOSFET 时、我们的 CSD18542KCS 面临故障。

    请告知我为什么  CSD18542KCS 在电机浪涌电流期间处于燃烧状态

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    TI__Guru**** 661510 points
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    尊敬的 Supriya：

    IDRIVE 是影响输出压摆率的另一个重要考虑因素、它取决于 FET 输入电容和栅极电荷。

    可以通过调整 IDRIVE 引脚上的 RIDRIVE 电阻来配置峰值拉电流。  

    当前 IDRIVE 设置是多少？

    另外、什么是用于电流调节的 RSENSE 和 VREF？

    此致！

    大卫

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    TI__Guru**** 661510 points
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    您好 DevID、

    目前、Rsense 为20m Ω、Vref 为0.85VDC。 我们已将 Imax 设置为20安培。

    用于 IRFZ44N Idrive 设置227 mA。  

    对于  CSD18542KCS 、我们尝试了所有 Idrive 组合  

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    TI__Guru**** 661510 points
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    您好 DevID、

    目前、Rsense 为20m Ω、Vref 为0.85VDC。 我们已将 Imax 设置为20安培。

    用于 IRFZ44N Idrive 设置227 mA。  

    对于  CSD18542KCS 、我们尝试了所有 Idrive 组合  

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    TI__Guru**** 661510 points
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    尊敬的 Supriya：

    IDRIVE 设置由我在上面分享的 RIDRIVE 设置进行设置。

    对于如何获取227 mA IDRIVE 设置、我有点困惑。  

    RIDRIVE 值和配置是什么？

    此致！

    大卫

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    TI__Guru**** 661510 points
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    David、您好！

    抱歉... 我们使用68K 上拉电阻、它允许300 mA。

    但我们不会面临  IRFZ44N 的问题。

    我们在使用 CSD18542KCS 时遇到了问题、因为我们尝试了所有可能的 组合

     

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    TI__Guru**** 661510 points
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    尊敬的 Supriya：

    您能否提供以下问题的答案、以便我们更好地理解此问题？

    1) 1) FET 配置为高侧还是低侧？  

    2) 2)您在运行时是否收到任何故障？

    3) 3) CSD18542KCS 烧断后、DRV8701是否仍正常工作？

    4) 4)两个 FET 的外壳温度是多少？  CSD18542KCS 的燃烧温度是多少？

    5) 5)每种设备运行了多少次测试、其中有多少次测试未通过构建的测试？

    6) 6) FET 是如何加热到电路板的？

    7) 7)如果可能、是否可以发送布局和电路板的照片？

    此致！

    大卫