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器件型号：DRV8311 大家好、
客户使用 MCU 驱动6个 DRV8311P、并使用 tSPI 将它们分为两组。 每个 tSPI 控制3个 DRV8311P 芯片以驱动3个无刷电机。
1. DRV8311P 的内部输出 VDD (LDO 输出3.3V)是否支持直接连接在一起、以供整个板上的其他器件(MCU、外部霍尔传感器、通用逻辑芯片等)使用？
2.多个器件共享同一个 SPI 接口。 为了提高信号质量、每个 SPI 的 SCK、NCS 和 MOSI 是否需要在每个 DRV8311P 端保留串联电阻？
3. DRV8311P 的 tSPI 一对多模式的布局应该注意什么？ 例如、在拓扑结构中使用菊花链还是 T 点会更好？
4.为提高 EMI 性能,可在 DRV8311P 的 OUTA/B/C 输出端串联磁珠吗? 这是否可以提高 EMI 性能(在接口之后、它通过非屏蔽线连接到电机、电线长度约为10cm、并使用一根 AWG24/AWG26电缆)？
您能帮助我们查看这个案例吗？ 谢谢。
此致、
切里
