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[参考译文] DRV8718-Q1:死区时间验证数据

Guru**** 2468610 points
Other Parts Discussed in Thread: DRV8718-Q1

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1264904/drv8718-q1-dead-time-validation-data

器件型号:DRV8718-Q1

我们要使用 drv8718-Q1器件。

因此、我想知道有关频率的具体数据。

1.在数据表中有频率信息是 Fdvdd - 14.25MHz。

 当此器件出现用于短路保护的死区时间时、该频率是否用于计算死区时间?

例如)如果死区时间为350ns、该器件是否会对 FDVDD 进行约5次计数来计算死区时间? 因为 FDVDD 周期意味着大约70ns。

2.当它应用死区时间时、是否有任何容限? 死区时间设置为350ns (只有握手)时、请给我答案

我们认为该器件不会让死区时间变得很好。 因此、请查看数据或相关数据表、例如工程数据表。

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    您好!

    感谢您的提问。

    1)数字死区时间由数字振荡器时钟:14:25MHz 提供。 但350ns 握手死区时间是模拟延迟。  

    2) 2)我们仅提供死区时间为350ns 的典型值。 以下是波形-匹配到~350ns 范围。

    此致

    森田真也

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    感谢您的回答。

    但我对此有疑问。

    1. 在您的屏幕截图中可以看到死区时间达到433ns。

       在任何情况下、如果死区时间比平时短、我认为发生了短路情况是对的?

    2.我能否得到一份报告证明设备完全能够防止出现短路情况?

    3.是否可以使用死区时间0us(不是握手)?

     我想如果我使用死区时间设置为0us (因为握手死区时间为350ns)、

     但是 OEM 客户担心如果我设置为0 μ s 的死区时间是可以的。

     因此、如果有、请分享报告以调查没有问题。

    4.如果你没有第三号报告,你是否有报告的握手死区时间的耐受性?

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    您说的是模拟器件。 它是否意味着计算握手死区时间的 RC 时间常数?

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    感谢您的提问。

    它源于检测和驱动下一个栅极驱动器的某种延迟。 一定程度的传播延迟

    此致

    森田真也

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    您能回答其他问题吗?

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    您好!

    感谢您的提问。  

    2)这种握手在历史上广泛用于其他 DRV。 未发现问题。 请参阅 DRV8705/06-Q1数据表。 相同规格。

    3)是的、许多客户使用0us、因为握手是事实证明的解决方案。

    4)请参考以上资料。

    如果无法轻松进行握手、DRV 可通过 SPI 型号增加数字死区时间。

    此致

    森谷真也

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    4)请参考以上资料。

    如果无法轻松进行握手、DRV 可通过 SPI 型号增加数字死区时间。

    [/报价]

    感谢您的回答。

    我实际上想问一下 DRV 是否可以保证350ns 死区时间。
    这就是我要求容差的原因。
    如果死区时间具有基于温度或 FET 条件的容差、
    我想你可以根据你有多大的宽容来决定是否做出更多的补偿。

    所以(下面问题中的死区时间意味着握手死区时间)。
    1.如果您有死区时间的容差数据、我很想看看。
    2.或者如果你有一个关于死区时间是否保证350ns 的报告,我想看看。

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    1.您能否分享有关握手死区时间的传播延迟和相关的研究文档?

    2.实际上我希望查看死区时间是否可以短于规格350ns。

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    感谢您的提问。 周一9/4是美国的国定假日,我们将在返回办公室时支持这一点。

    此致

    森田真也

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    谢谢您、请回答我的请求。

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    您好!

    1.没有研究文件,因此让我评论如下。 握手栅极驱动的工作方式如下。 其中一个栅极侧(在 HS 中为此示例)将关断。 DRV 在没有握手的情况下不会开始开启另一个 FET。 DRV 会监控 V_GH、并等待直至达到~1.4V。 V_GH 达到1.4V 后、DRV 开始驱动另一个栅极、然后输出开始上升。 此延迟/间隔期间为"内部握手死区时间"。 它的典型值为350ns。

     

    2. TI 没有内部握手死区时间的最小规格,但预计在200ns-550ns 范围内。 这包括裕度、因此典型样本通常显示约300-450ns。

    此致

    森田真也

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    由于 V_GH 小于1.2V、因此如果我使用的 FET 的 VGS (th)为2V、则不会发生短路。 是这样吗?

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    您好!

    可以。 正确。

    此致

    森田真也