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器件型号：DRV8962 您好！
关于 INx 到 OUTx 的 延迟时间,从高到低和相反, 为了防止击穿 MOSFET 的600ns 内部典型延迟是否合适?
如何增加半桥的快速循环时间(换向之间只有二极管)、时间介于600ns 和2us 之间？
我假设低于2us、使能信号看起来不可用、其典型传播时间为2us。
在类似的设计中、但使用分立式 MOSFET 时、我至少需要800ns 以避免电流击穿、延迟越 大、损耗就越大。
此致
马塞洛
