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器件型号：DRV8323R 嗨、BLDC 团队：
我有一位客户评估并计划将 DRV8323R 用于具有严格尺寸限制的新电机驱动器项目 、我们希望您的团队可以就以下问题提供指导：
- 由于尺寸限制、DRV8323R IC 位于 PCB 的顶部、而 MOSFET 需要位于底部。 该规划是为了使 栅极和源信号长度保持匹配、包括相同数量的过孔、以确保过孔转换不会导致对称问题。 这种方法是否有任何问题、您是否对应考虑的事项有任何其他建议？
- 由于与项目(1)相同的原因、局部 MOSFET 陶瓷大容量电容器位于 PCB 的顶部。 它们可以直接位于高侧 MOSFET 漏极的顶部、并具有大量过孔。 这种方法是否也有任何问题？
感谢您对这些问题的帮助以及您提供的任何其他反馈！
此致、
马特·卡尔沃
