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器件型号：DRV8323R 主题中讨论的其他器件：CSD88599Q5DC、 DRV8323
您好！
我的名字佩德罗、最近我们遇到了驾驶员烧坏 IC 的问题、下图是： 
您可以看到 IC 已损坏、而 X 射线表明焊接是正确的。
我已经按照 TI 关于具有100ns 上升/下降时间的建议计算了我们的 MOSFET (CSD88599Q5DC)在 Qgd = 7nC 时的 IDRIVE 设置。
7nC/100ns = 70mA。 (1)
目前、我的 N 电流~1A、P 电流~μ A 500mA。 使用这些电流、我可以使用示波器在上升/下降时间中测量~50ns。
我的问题是：
1) 1) 50ns 的上升/下降时间是否足够快、以引发一种会烧毁驱动器/FET 的振铃？
2) 2)~我将 IDRIVE 设置降低为0 μ s 500mA in N-current 和2 ~μ s 250mA for P-current、我可以测量100ns 的上升/下降时间。 我应该遵循(1)中的计算、还是应该使用我实际测得的值100ns？
3)该驱动器损坏的其他原因是什么？ 不会出现温度问题。
4)我已经尝试测量射通,但它似乎是不可能的,因为我得到的电磁噪音,我在示波器。 您对此测量有什么建议吗？
非常感谢。
此致。
附件：
死区时间= 400nS
VBUS = 36V
电机额定功率= 250W
