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[参考译文] DRV8311:单个 MCU 控制6通道 DRV8311P 设计详细信息咨询

Guru**** 2468460 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1263269/drv8311-consultation-on-design-details-of-single-mcu-control-6-channel-drv8311p

器件型号:DRV8311

我现在使用 MCU 驱动6个 DRV8311P、并使用 tSPI 将它们分为两组。 每个 tSPI 控制3个 DRV8311P 芯片以驱动3个无刷电机。 我有以下问题:

1.   DRV8311P 的内部 LDO 输出 VDD (LDO 输出3.3V)是否支持直接连接在一起、以供整个板上的其他器件(MCU、外部霍尔传感器、通用逻辑芯片等)使用?

2.多个器件共享同一个 SPI 接口。 为了提高信号质量、每个 SPI 的 SCK、NCS 和 MOSI 是否需要在每个 DRV8311P 端保留串联电阻?

3. DRV8311P 的 tSPI 一对多模式的布局应该注意什么? 例如、在拓扑结构中使用菊花链还是 T 点会更好?

4.为提高 EMI 性能,可在 DRV8311P 的 OUTA/B/C 输出端串联磁珠吗? 这是否可以提高 EMI 性能(在接口之后、它通过非屏蔽线连接到电机、电线长度约为10cm、并使用一根 AWG24/AWG26电缆)? 或者您有什么建议。

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    嘿黄子。

    感谢您的提问。 我将在下周提供反馈。  

    此致!
    阿克沙伊

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    嗨、Huangzj、

    1) 1)只要输出能力在 LDO 范围内、就应该良好。 如果 MCU 由器件供电、则我要确保这不会影响唤醒器件。

    2) 2)我建议为串联电阻添加封装、以便可能组装一个电阻器。

    3) T 点理论上应更好。 主要目标是使 SPI 信号布线短路以降低电感。

    4)针对 EMI 的一些一般建议是使布线短而宽、为铁氧体磁珠添加一个封装选项、并将 AVDD 和电荷泵(驱动器电容器)放置在靠近驱动器的位置。

    此致!

    阿克沙伊

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    您好、

    1) 1)对应于第1点:DRV8311P LDO 的最大输出电流仅为100mA、不足以为 MCU 系统供电。 因此、我计划使用多个 DRV8311P LDO 来实现并行输出。 是否允许这样做?

    2)对应于第2点:同一组中是否有三个 DRV8311P 需要为器件端的每个 SPI 提供串联电阻?


    4) 4)相应地、第4点:我是否需要在 VM 和自举电容器之间添加一个较小的电阻值、以提高 EMI 性能?

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    尊敬的 Huangzj:

    今天是在美国的假期,但 Akshay 的目标是在一周结束前提供回应。

    此致、

    安东尼·洛迪

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    嗨、Huangzj、

    1) 1)如果两个 LDO 的输出电压稍有不同、这可能会出现一些问题、并可能导致 LDO 与其他 LDO 对抗。 一种权变措施是在 LDO 和 MCU 之间添加一个二极管。 (会导致 压降、但应防止干扰)

    2) 2)请参阅此文档、了解有关多电机应用的更多信息:

    https://www.ti.com/lit/ds/symlink/drv8311.pdf

    使用电阻器的封装可以让您测试其效果。

    4) 4)该器件没有自举电容器、您打算在何处添加该电阻器?

    此致!
    阿克沙伊

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    您好、

    4) DRV8311P 的引脚6是 VC,我在引脚6 (VC)和引脚8 (VM)之间加一个 C (0.1uf)和一个 R (2Ω),就像引脚6————————引脚8一样

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    嗨、Huangzj、

    我们的建议 如下所示、不带一个电阻器。 这可能会影响 CP 功能。 但再一次地、为电阻器留出了空间、让您可以灵活地对此进行测试。

    此致!
    阿克萨希

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    嗨、Huangzj、

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    此致!
    阿克沙伊