[参考译文] DRV8328：将 DRV8328用作三个独立的 NMOS 高侧驱动器

Michael、您好！   

感谢您使用我们的论坛！

您能否进一步解释一下您对 PVDD 和 MOSFET 电源差异的担忧？   

器件电源 PVDD 的 推荐值范围为4.5V < PVDD < 60V、并且可以与 MOSFET 电源相同。   

让我进一步了解一下这个应用程序、并提供我可以提供的任何见解。  

此致、  

-约书亚

你好、Joshua、

感谢您的回答。

我担心的是、在我的应用中、PVDD 与 MOSFET 电源(原理图上的 VBUS)不同。

PVDD  设置为5V、根据数据表应该没有问题。 另一方面、VBUS 实际上是恒流源。 根据负载的不同、电压范围为~0V 至50V。 所有三个 LED 并联时(Q1、Q2和 Q3导通)、它将接近0V；当三个 LED 亮起时(Q1、Q2和 Q3未导通)、它将接近50V。

我的担忧是、当高侧 MOSFET 的源电压(SHA、SHB 和 SHC)远高于 PVDD 时、DRV8328是否能够进行通勤。  因为高侧驱动器是悬空的、我想应该没问题。 但我也不完全确定这一点、因为数据表中没有明确提到分离电源的操作(或者我漏掉了它)。 在单电源供电的情况下、MOSFET 的源极电压始终小于 PVDD。

此致、

迈克尔

Michael、您好！  

感谢您的明确解释！

让我继续和我的团队一起研究这件事、并尽快与您联系。  

此致、

-约书亚

Michael、您好！  

很抱歉响应出现延迟。 如果这项调查仍在进行中，我有以下几点要说：

似乎不建议将 DRV8328用于双电源供电。  然而、DRV835x 采用双电源架构设计、具有9-75V 的电源电压范围和7-100V 的漏极电压。   

尽管如此、我仍然担心、以 VBUS 作为低至0V 的电流源运行可能会触发我们在器件中实现的欠压保护功能。 这是漏极电压通常会达到4-5V 以下的可能情况吗？  

我将继续跟进并确认 DRV8328是否真的无法在此应用中以双电源模式运行、并在下周中向您进一步更新。

感谢您的耐心等待、此致、

-约书亚

你好、Joshua、

感谢您的跟进。

是的、我看到过 DRV835x 器件、但我只有5V 可用电源电压、正如您所说的、它们至少需要9V。

关于欠压保护特性、是的、漏极电压完全有可能降至4V 至5V 以下。 我打算通过 一个100k 电阻将 VDSLVL 引脚连接到 GVDD 来禁用一些保护功能、但不知道这是否足够。

基本上、适合我的应用的理想组件是  Analog Devices 的 LTC7004。 但是、我需要多种栅极驱动器、这将增加元件数量和 PCB 上使用的面积、更不用说 DRV8328更便宜。  因此、我想我可以使用一个 DRV8328 而不是 三个 LTC7004、但我知道 这有点牵强。

如果您考虑了其他可能合适的元件、请告诉我。

此致、

迈克尔

Michael、您好！  

感谢你的评分

就此、如果有更合适的 BLDC 驱动程序适合您的应用、或者我们是否可以解决一些潜在的问题、我将与我的团队结盟、并在星期三向您提供最新消息。

此致、

-约书亚