[参考译文] DRV8705-Q1：在 PH/EN 模式下进行 H 桥配置检查

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https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1286385/drv8705-q1-configuration-check-for-h-bridge-in-ph-en-mode

器件型号：DRV8705-Q1

您好、TI 专家

这是我们首次将 DRV8705S-Q1 + 4个 N-MOSFET 用作 H 桥。 N-MOSFET 为 TSC 的 TQM056NH04LCR。我想再次检查一些 SPI 寄存器。

1. DRV_CTRL1和 DRV_CTRL2

对于 TQM056NH04LCR、Qgd 为4.6nC (类型)和9.2nC (最大值)。对于许多 MOSFET、从100ns 到300ns 或更长的上升和下降时间是可以接受的。因此、选择 IDRVN_HS 和 IDRVN_LS 作为24mA。 (类型转换率4.6nC / 24mA = 192ns)。但是、正如我们 konw、对于 MOSFET、上升时间始终小于下降时间。因此、我们要选择12mA 作为 IDRVP_HS 和 IDRVP_LS。

我想获取您对 DRV_CTRL1和 DRV_CTRL2的此配置的看法。

2. DRV_CTRL3

我知道我们可以使用 VGS_TDEAD 来设置可配置的数字死区时间。但在 BRG_CTRL 中、我们已将 VGS_HS_DIS 设置为启用。我们是否甚至需要设置 VGS_TDEAD、或者只需将 VGS_TDEAD 设置为0ns？现在、DRV8705具有 VGS_HS_DIS、配置 VGS_TDEAD 的意义是什么？

对于 VGS_TDRV、我们保留默认值(4us)。可以吗？我想知道需要什么条件才能更改该 VGS_TDRV 值。

感谢您的支持！

2 年多前

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 2466550 points

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嘿、Shiyu、

Unknown 说：
1. DRV_CTRL1和 DRV_CTRL2

查看 8.2.2详细设计流程如果您还没有将数字代入这些方程中,一切看起来都是正确的。但我建议您测试不同的值并在示波器上看到输出、然后在集成 MOSFET 驱动器中通过延迟和死区时间来读出、以便对您的参数进行微调。

Unknown 说：
对于 VGS_TDRV、我们保留默认值(4us)。可以吗？我想知道需要用什么条件来更改该 VGS_TDRV 值。

请参阅下面的段落。如果您的 VGS_HS_DIS == 0、那么它将使用死区时间握手来自动执行。如果 VGS_HS_DIS=1、则您可以根据需要手动调整 tDRIVE 和 tDEAD、建议在示波器上进行测试。默认 VGS_TDRV 为4us 即可。

您可以配置 VGS_LVL 对其稍作调整：

我强烈建议订购 DRV8705S-Q1EVM 、以协助您进行测试。它具有非常广泛的 Web GUI、可让您轻松地在所有寄存器中配置器件设置。您或许可以用 FET 替换 EVM 上的 FET、或者也可以找到具有类似规格、采用引脚对引脚兼容封装的 FET 来替换 EVM 上的 FET。

另请参阅了解智能栅极驱动器。很抱歉向您发送这么多 PDF 报告、栅极驱动器很复杂、我们为其提供了大量支持资源。

此致、

雅各布

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