[参考译文] DRV8711EVM：计算驱动寄存器值。

尊敬的 Nathan：

感谢您在此论坛中发帖。 数据表的第21至23页为计算这些参数提供了指导。 是的、您走对了。 上升时间将是 EMI 性能与步进电机、线束长度、功率 FET 特性等的函数。 因此、如果 EMI 较高、您可能必须将上升时间从500ns 减慢。 是的、根据您的计算、IDRIVEN 和 IDRIVEP 设置是最接近的。

IFS 满量程电流设置通过 Rsense 值、ISGAIN 和转矩寄存器设置的适当大小来完成。 在您的应用中、这适用于4.2A。   

OCPTH 用于短路检测。 从技术角度而言、阈值应高于4.2A、并留有足够的余量来避免错误关断。 最坏情况下、该设置的最低可用值为320mV。 如果您在查看输出端死区短路、则可能是 HS FET 的上升电流至320/Rdson mΩ= 320/3.5 = 91A (最好使用最低的 Rdson 值)。 对于 LS FET、流向 VM 的短路电流还应包括 Rsense。 无论如何、对于如此低的 Rdson 值、这可能过高、无法暂时对功率 FET 施加应力、可能会损坏它、尤其是在电源电压较高时。 为保证设计安全性、可复位保险丝或电源电流限制将是更好的选择。 如果在电机侧发生短路、则电缆长度相关电阻也会限制短路电流。

您的  OCPDEG 设置思路是正确的。 如果在由于快速 di/dt 而导致的此抗尖峰脉冲时间到期之前达到短路电流的 OCPTH 值、则直到抗尖峰脉冲时间结束后才能检测到该值。 这意味着在检测到电流之前、电流可能会高于计算值。

我希望这对您有所帮助。  

此致、Murugavel   

尊敬的 Nathan：

"TDRIVEN 和 TDRIVEP 是上述估算上升时间吗？ 500ns。" -不,他们是闸极驱动时间。 在这段时间内、栅极驱动器可以向 MOSFET 栅极提供 IDRIVEN/IDRIVEP 电流。  TDRIVEN 和 TDRIVEP 的最安全设置为2us (尤其是添加 LS MOSFET 栅极电阻器时)。

将 IDRIVEN/IDRIVEP 设置为100/150ns 50mA 时、您应该获得大约150ns 的上升/下降时间。

我已经熔断了 DRV8711EVM 板上的几个 MOSFET 和驱动器、一开始就玩 NEMA 34电机、我将为您提供一些技巧、这些技巧可能有助于您避免损坏 DRV8711EVM 板。

- 50mA 在退出"睡眠"模式之前,将 IDRIVEN/IDRIVEP 设置为100/IDRIVEP ,不要使用更高的设置。

-如果您想使用 VM、则可以说超过30V、您可以添加大约1000-2200 uF 的额外 VM 电容器。

-如果你想让你的电机超过1000rpm(但让我们说在2500rpm!) 上述 VM 电容器的值应甚至更高(4700 - 10000uF)、以使 VM 保持在60V 以下、以防电机突然停止并将制动能量倾入直流母线。

如果损坏 MOSFET 或/和 DRV8711、下一步可以添加如 DRV8711数据表8.1.2章所述的 LS MOSFET 栅极电阻器。

此致。

格雷戈尔茨

尊敬的 Nathan：

这听起来不错。 感谢您的更新。   

此致、Murugavel