您好!
我正在为三相逆变器进行 RC 缓冲器设计。
在逆变器的每个桥臂中、我有4个并联的 MOSFET。 有人能建议我哪一个是最好的方法和原因,从这2个我在下面列出:
1. 方法1:每个 MOSFET 的 RC 缓冲器。

2.方法2: 一个拓扑 MOSFET 的 RC 缓冲器。

This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
您好!
我正在为三相逆变器进行 RC 缓冲器设计。
在逆变器的每个桥臂中、我有4个并联的 MOSFET。 有人能建议我哪一个是最好的方法和原因,从这2个我在下面列出:
1. 方法1:每个 MOSFET 的 RC 缓冲器。

2.方法2: 一个拓扑 MOSFET 的 RC 缓冲器。

尊敬的 Shivam:
本常见问题解答提到
"为了缓解相位输出端的振铃、可以使用简单的电阻器-电容器(R-C)缓冲器电路来"缓冲"或抑制振荡。 通过消除振荡、可以降低电压过应力、从而降低潜在的 EMI 并延长 MOSFET 的寿命。 R-C 缓冲器尽可能靠近每个 MOSFET 的漏极和源极接头平行放置。
如果您希望最大限度地发挥 RC 缓冲器的积极副作用、最好遵循常见问题解答中的建议、因此方法1是最佳选择。
在接近2时、唯一能够有效抑制振荡的 MOSFET 将仅限于具有 RC 缓冲器的 MOSFET。
此致、
亚拉