您好、专家：
我在调试过程中遇到一些困难。
现在 我可以执行 SPI 通信，但 无法获取 PWM。
根据我的理解,只要我设置"nSLEEP"=1 ,"MODE"=HiZ ,"IN1"=1"IN2"=0 ,我就会得到 PWM。 (如果我错了、请提醒我)
但 我设置"nSLEEP"= 1、"MODE"= HiZ、"IN1"= 1 "IN2"= 0、 VDS 和 GDF 状态寄存器= 0x04。无论我如何配置它、 VDS 始终会发生过流。 我想知道我是否错过了一些东西
Br、
环银
尊敬的 Huan：
感谢您在此论坛中发帖。 为了使器件在 PWM 输入 H 桥模式下上电、MODE 引脚必须为 HiZ、同时 nSLEEP = 0并转换为1。 然后、当 nSLEEP = 1时、器件会唤醒并将 MODE 状态(输入 HiZ)锁存至 PWM 输入 H 桥模式。 在如表7-5所示的这个电桥控制模式中、输入中的一个必须为高电平(IN1)、而另外一个输入(IN2)必须具有一个具有可变占空比的 PWM 输入、以便改变输出端的 BDC 电机的速度。 当 IN2为高电平且 IN1使用 PWM 进行输入时、电机将以相反的方向旋转。 在测试过程中为输入提供了多大的输入 PWM 频率和占空比？
当 PWM 输入= 0时、将驱动电机。 当 PWM 输入= 1时、IN1和 IN2都将为高电平、导致电机绕组中电流的低侧 FET 慢速衰减。 每个 PWM 开/关周期都会执行该过程。 可以在不使用 PWM 输入的情况下以100%的速度驱动电机、而是将其中一个输入设置为低电平、而将另一个输入设置为高电平。
测试过程中是否启用并使用了电流调节？ 使用了哪些电流调节设置和使用的感应电阻器？ 使用的电源电压是多少？ 连接到输出端的负载类型是什么？
VDS 和 GDF 状态寄存器= 0x04表示 L2_VDS 低侧 FET 具有 VDS 错误。 默认 VDS 设置为0.96V、除非您将其更改为较低的值。 如果您使用的 FET 有2 mΩ Rdson、则0.96V 意味着0.96/0.002 = 480A 经由 LS2 FET 流过、电流异常高-这实际上不是一种可能性。 使用的 FET 的 Rdson 是多少。 您是否能够使用电流探针测量通过负载的电流尖峰？ 如果您可以通过使用 nFAULT 引脚触发捕捉(需要上拉)来共享报告 VDS 过流时获取的电流波形、这将非常有用。 如果我们能看到驱动器和输出 FET 的周围原理图、它将帮助我们进行调试。 谢谢。
此致、Murugavel
尊敬的 Huan：
0.2A 的电流限制肯定会导致 VMUV 误差。 您可能需要增大电流限制。 理想情况下、电流限制应该能够支持电机的启动浪涌电流。
您可以使用主控制寄存器中突出显示的以下位以完全开启或完全关闭的方式运行电机。 由于没有 PWM 或软启动、因此您应配置电流调节、以便在需要时限制启动浪涌电流。
数据表的这一部分讨论电流调节-见下文。
此致、Murugavel
尊敬的 Huan：
感谢您的更新。 我很高兴提高电流限制为您解决了 VMUV 问题。
"我似乎理解了：如果我想配置 IN1和 IN2、我可以从外部上下拉 IN1和 IN2、或者我也可以使用 SPI 通信来写入 主控制寄存器。 这两种方法都可以实现电机驱动。"。 正确。 引脚输入采用逻辑或、即 SPI 相应的输入位。
" PH 或 EN 的含义(IN1/PH、IN2/EN)"。 有关桥接控制、请参阅下面的逻辑表。 该器件支持三种工作模式。 其中一种是独立半桥 PWM 输入控制模式。 这用于使用单独控制的两个半桥。
其余两种模式支持全桥运行。
PH 和 EN 控制模式： 这是双向 BDC 电机控制的常用模式、称为相位和使能控制。 PH 引脚用于改变方向、EN 引脚用于 PWM 输入。 该模式的优点是仅在一个引脚 EN 上需要一个 PWM 输入、即可在两个工作方向上控制电机的速度。 您可能会注意到、在 PWM tOFF 期间以及当 EN = 0时、再循环电流将流经表中的低侧 FET SH1和 SH2 =低电平。 在此模式下、支持内部电流调节。 在此模式下也没有滑行选项。 不过、nSLEEP 还可以呈现桥接器 Hi-Z。
PWM 控制模式： 在此模式下、引脚采用 IN1和 IN2、即两个 PWM 输入。 对于方向1、PWM 输入应提供给 IN1、对于方向2、 PWM 输入应提供给 IN2。 对于方向1和2、如果非 PWM INx = 1、则电桥输出将在 PWM tOFF 期间处于活动状态、在 TON 周期再循环电流将通过低侧 FET 流过。 当 IN1 = IN2 = 1时、不会驱动负载。 负载行为将与 PH/EN 模式类似、因为在此模式下、再循环会在 LS-FET 中发生。 不同之处在于 PWM 输入必须在两个单独的引脚 IN1和 IN2上、占空比将反相、PWM TON 桥处于电流再循环状态、tOFF 桥激活驱动负载。 在此模式下、支持内部电流调节。
在该 PWM 控制模式下、当 IN1 = IN2 = L 时、H 桥将处于惯性滑行模式(HI-Z)。 在此模式下、如果来自反电动势的电机端子电压(当电机驱动在全速运行时通过使 IN1 = IN2 =0立即停止时)、或通过齿轮传动系手动驱动电机-如在车门或尾门中、 电压高于 VM 时、将有电流通过 FET 的体二极管流入电源。 根据 VM 上的大容量电容和电源设计、可能会暂时泵回 VM 电压、并且 VM 电压可能会在短时间内增加。 VM 可能会增加到驱动器和/或 FET 的绝对最大额定电压以上、并对其造成永久损坏。 对于该控制模式、负载将 在 PWM TON 周期期间被驱动、并在 tOFF 期间滑行。 此模式不适合内部电流调节、因为 将不存在电流再循环慢速衰减。 与基于再循环的驱动模式相比、在相同的 PWM 占空比下、电机运行速度可能更快。
驱动程序支持这些灵活的选项、使您能够为您的应用选择最适合的工作模式。 希望这些信息对您有所帮助。
此致、Murugavel
