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[参考译文] DRV8899-Q1:OUTx 上的泄漏

Guru**** 1133870 points
Other Parts Discussed in Thread: DRV8876-Q1, DRV8145-Q1, DRV8873-Q1, DRV8899-Q1, DRV8245-Q1
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1329475/drv8899-q1-leakage-on-outx

器件型号:DRV8899-Q1
主题中讨论的其他器件:DRV8873-Q1、DRV8876-Q1 DRV8245-Q1、DRV8145-Q1

您好、TI!

当驱动器输出被禁用(Hi-Z 状态)时、我想与您确认 AOUT1、AOUT2、BOUT1和 BOUT2上的泄漏情况?

我还想知道在哪种配置中可以将驱动器输出设置为实际的 Hi-Z 状态?


在我的测试和测量期间、

1.如果我只将 nSleep 引脚设置为低电平,则这些输出引脚会产生巨大的泄漏电流(灌电流,最大值>900uA);

2.如果我将 nSleep 设置为高电平并使 DRVOFF 悬空(内部上拉至 DVDD ),则泄漏变小,但仍然是巨大的值(最大值>500uA );

3.如果我将 DRVOFF 连接到 GND 并设置位 DIS_OUT=1、则没有改善。

这款芯片与 DRV8876-Q1、DRV8873-Q1等其他芯片大不相同。
驱动器输出引脚上的漏电流过大。

TI、您能检查一下我的设置吗、并分享一些我在测试过程中出错的建议吗? 非常感谢!

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    尊敬的 Frank:

    请澄清一下、您是说 OUTx 到 GND 路径之间的泄漏电流正确吗? 这种泄漏是预期行为、其原因是 HS-FET 的内部驱动电路。 步进电机线圈连接在 AOUT1和 AOUT2以及 BOUT1和 BOUT2之间。 当 nSLEEP =低电平或 DRVOFF = HIGH 时、线圈中不会有漏电流。  

    将负载从 OUTx 连接到 GND 路径的目的是什么? 这不是步进驱动器的预期用途。 谢谢。

    此致、Murugavel

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    您好、Murugavel。

    感谢您的评论!

    下面我在这里澄清了测量期间的电路和配置。

    1.在我的测量中,在 AOUT1和 AOUT2之间没有线圈和其他连接。 换句话说、AOUT1和 AOUT2均开路(这是为了模拟电机线圈开路时的故障情况);

    2.在每个端子上,我都有一个与输出并联的分压器(如下所示);

    3.分压器由12V 电池电平电压供电(在下图中、I use VM、与 DRV8899-Q1电源相同);

    4.板载微控制器在启用电机前监控分压器输出以进行故障诊断。

    然后我进行了2次测量。

    测量值1:NSleep = 1且 DRVOFF 在外部悬空(内部上拉至 DVDD 5V、因此 DRVOFF=1)。
    VM = 12.9V、V (AOUT1)= 7.9V、V (ADC1)= 2.233V  >>  因此 I (R11)= 500uA、I (R12)= 236uA、I (R13)= 223uA  >>   这意味着灌入引脚 AOUT1的电流为264uA
    VM = 12.9V、V (AOUT2)= 1.308V、V (ADC1)= 0.386V  >>  因此 I (R21)= 207uA、I (R22)= 38.4uA、I (R23)= 38.6uA  >>>   这意味着接近170uA 的电流灌入引脚 AOUT2

    测量值1:NSleep = 0且 DRVOFF 在外部悬空(内部上拉至 DVDD 5V、因此 DRVOFF=1)。
    VM = 12.9V、V (AOUT1)= 2.961V、V (ADC1)= 0.873V  >>  因此 I (R11)= 994uA、I (R12)= 87uA、I (R13)= 87.3uA  >>   这意味着灌入引脚 AOUT1的电流为907uA
    VM = 12.9V、V (AOUT2)= 1.45V、V (ADC1)= 0.427V  >>  因此 I (R21)= 204uA、I (R22)= 42.6uA 、I (R23)= 42.7uA   >>>   这意味着接近161uA 电流灌入引脚 AOUT2

    上述测量适用于线圈开路检测。
    此外、我们会检测到 AOUTx 对电池短路、当线圈在 AOUT1和 AOUT2之间正常时对 GND 短路。
    BOUT1和 BOUT2也是如此、因为我们使用此芯片来驱动步进电机。

    泄漏电流(灌电流)非常大、是不可接受的、因为它会导致错误的诊断报告。  

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    尊敬的 Frank:

    感谢您发布更多信息。 DRV8899-Q1具有集成开路负载 OL 检测功能和集成过流保护功能、可检测 xOUTx 对 GND 短路和电池短路。 这种步进驱动器广泛用于汽车应用。 您的应用是汽车应用吗?  

    此致、Murugavel

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    您好、Murugavel。

    是的、我同意 DRV8899-Q1具有电机运行阶段可用的集成 OL 和 OC 检测功能。

    我的应用适用于汽车、因此故障诊断更丰富。

    我们需要在启用电机之前进行故障诊断(电池短路、GND 短路、开路负载)、因此我们将分压器与每个输出级并联。 借助该分压器输出电压(ADCx)和 VM 电平(由另一个电路进行监控)、微控制器可以了解输出端子的状态。 遗憾的是、 大量的漏电流流入 xOUTx、这一切变得不可能。
    但是、我们实现了 DRV8876-Q1的目标、该器件可用于有刷直流电机驱动。
    我现在对您的产品感到困惑。

    然后返回到我的问题:
    如何使 DRV8899-Q1输出级处于实际的 Hi-Z 状态?
    2.处于实际 Hi-Z 状态时、泄漏电流有多大?

    谢谢!

    Br
    弗兰克

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    尊敬的 Frank:

    感谢您在负载未驱动时尝试检测这些问题-无源 OL 以及对 VM 和 GND 短路检测。 我们的一些有刷电机驱动器集成了这些特性-对 OL 与短路进行被动和主动检测。 DRV8245-Q1、DRV8145-Q1的示例。  

    从负载的角度来看、在通过 DRVOFF 和 nSLEEP 禁用 Hi-Z 桥的模式下、所有四个 NMOS FET 均具有零导通。 泄漏来自将 HS-FET SHx 和 GHx 保持在已知电势的内部电路、而在电桥 Hi-Z 模式下则完全悬空、旨在避免 HS-FET 的杂散传导。 根据所使用的内部电路、我们的几乎所有 H 桥都有从 VM 到 SHx 的某种程度的泄漏路径。  

    对于 DRV8899-Q1、无法消除这种泄漏电流路径。  当 DRVOFF = 1且 nSLEEP = 0或1时、从 AOUTx 到 GND 或从 BOUTx 到 GND 的泄漏电流为零。  当 nSLEEP = 1 (器件唤醒)且 DRVOFF = 1 (输出驱动禁用)时、从 VM 到 AOUTx 或从 VM 到 BOUTx 的泄漏电流约为280μA。   当 nSLEEP = 0 (器件处于睡眠状态)时、从 VM 到 AOUTx 或从 VM 到 BOUTx 的泄漏电流约为1.8mA。 谢谢你。  

    此致、Murugavel