主题中讨论的其他器件: DRV8706-Q1、 DRV8262、DRV8705-Q1
大家好、
客户试图将电机的两极短路。 此时、峰值电流可能达到40A (设计的电流限制值为8A)、而峰值电流的频率为35KHZ。 此时、NFAULT 引脚仍处于高电平、未报告任何错误来关断输出。
更换不同的电源和电池后、结果是相同的。
1. 为什么峰值电流是35KHZ ?
2. 为什么 nFAULT 管脚在超过硬件电流限值后仍然是高电平?
电流波形

原理图

我想问一下为什么会出现这种现象?
此致、
安妮
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大家好、
客户试图将电机的两极短路。 此时、峰值电流可能达到40A (设计的电流限制值为8A)、而峰值电流的频率为35KHZ。 此时、NFAULT 引脚仍处于高电平、未报告任何错误来关断输出。
更换不同的电源和电池后、结果是相同的。
1. 为什么峰值电流是35KHZ ?
2. 为什么 nFAULT 管脚在超过硬件电流限值后仍然是高电平?
电流波形

原理图

我想问一下为什么会出现这种现象?
此致、
安妮
尊敬的 Annie:
您说过 "(设计的电流限制值为8A)"。 通过使用 R30和 R34计算、结果表明电流为7.875A、因此~8A。
对于 ICHOP 电流调节、消隐时间为2us (请参阅数据表)。 仅在此时间结束后、电流调节比较器检测才有效。 电流调节由固定 TOFF 斩波完成。 TOFF 的典型值为25us。 在这个客户测试用例中、由于 FET 的短路和低 Rdson、电流 在2us 消隐时间内达到了高得多的峰值。 根据示波器捕获、您共享的电流峰值看起来像~32A。 ICHOP 比较器检测到电流在2us 消隐时间后立即超过设定值、并进行25us 的 TOFF 斩波。该模式持续重复、产生(2 + 25) 27us 的时间周期、有效至~37kHz。
在电机负载适当的情况下、电流上升速度会慢得多、因此 tBLANK 之后、电流仍将小于 TARGET ~ 8A。 因此、将一直显示 tDRIVE、直到负载电流达到 ICHOP 电平、然后显示 toff。 这是 BDC 电机负载的预期行为。
短路测试期间没有 nFAULT 的原因是 从未达到 OCP 阈值。 为了检测 OCP、VDS 应达到1V、或 VSP (检测电阻器上)应达到1V。 Rsense = 0.02Ω、因此对于1V VSP、电流峰值必须为1/0.02 = 50A。 这一点从未实现过。 如果客户更改了 Rsense = 50mΩ、则 VSP 在20A 电流下将为1V、因此>20A 电流将在 tOCP 之后检测到 OCP。 tOCP 到期时可能是当 OCP 关断输出时、电流可能远高于20A。 对于 50mΩ、客户可以修改 VREF、以实现 ICHOP 的8A。
使用的 FET 为 TSM045NB06CR、其 Rdson = 5mΩ。 当 VDS = 1V 时、通过 FET 的电流必须为1/0.005 = 200A! 因此、在40A 短路电流下绝不会达到 VDS 阈值。
注意:不确定 IDRIVE 引脚是否已通过0Ω 连接到 AVDD。 如果是、则 禁用高侧 FET 上的 OCP 监控器。

此致、Murugavel
尊敬的 Annie:
我解释了 OCP 为20A 的行为和方式、仅仅是因为客户使用的是非常低的 Rdson FET。
由于 AV 增益固定不变、DRV8701无法同时实现8A ICHOP 和20A 电流 OCP。 客户必须确定一种折衷方案。 另一种选择是在所需的 OCP 电流下选择 FET 的 Rdson、使 VDS = 0.8A。 例如、对于30A VDS_OCP 跳闸0.8/30 =~μ s 26mΩ。
其他选择是考虑 DRV8705-Q1或 DRV8706-Q1或完全集成式 MOSFET BDC 驱动器 DRV8262也是另一种选择。
此致、Murugavel
尊敬的 Annie:
'当 FET 短路时、客户将 Q12的 D 和 S 波形与原理图中的 GND 进行了测试。' 根据原理图、绿色是 Q12的22V 漏极。 根据示波器捕获、好像是当 Q12在~2.5us 导通时、Q12的源极接近22V 或 VDS 是不足以触发 VDS_OCP 的低电压电平。 当 Q12没有在大约25us 内导通时、VDS 为22V。
VDS_OCP 监控器仅在 FET 导通时有效、而不是在未导通时有效。 根据记录、对于硬开关导通时的5mΩ FET、VDS 电平= 1V、建议电流为1/0.005 = 200A。
您提到"当 FET 短路时"、哪个 FET 短路? 问题11?
此致、Murugavel
尊敬的 Murugavel:
客户进行了另一项测试、发现 FET 导通时间对应于电流采样的高电平时间。 该时间似乎是消隐时间、但实际上大约为2.5us。 也就是说、当电机的两极与导线短路时、FET 的实际开关频率与电流采样一致、即导通时间为2.5us、关断时间为25us。 在这种情况下、如果使用 VDS 来监测过流、即使使用具有更大 Rdson 的 FET、时间似乎无法满足 OCP 的检测要求(4.5us)。 这是否意味着使用 VDS 监测过流不像 VSP 那么有效?
此致、
安妮
尊敬的 Annie:
假设客户使用更新的 Rsense = 50mΩ 进行了测试。
基于 R30 = 10k 和 R34 = 20k、VREF =(AVDD/30k)* 10k = 4.8/3 = 1.6V。 ICHOP=(VREF-VOFF)/AV*RSENSE =(1.6-0.050)/(20*0.050)= 1.55A。 我想1.55A 的 TON 是 PWM 消隐时间2us + 0.5us = 2、5us、在此期间 FET Q12导通、tOFF = 25us Q12关断。 此电流调节 PWM 模式根据示波器捕获重复。

从未达到20A 的 VSP_OCP 阈值(使用50mΩ Rsense)。 因此没有 OCP 报告。 由于电流调节将始终生效、除非在该器件中禁用电流调节、否则永远不会达到第一个 VSP_OCP。 如果不需要电流调节功能、可以禁用此功能、方法是将 VREF 直接连接到 AVDD 并将 SP 和 SN 连接到 GND。
我们假设 VREF 直接连接到 AVDD、电压为4.8V。 要实现8A Ichop、需要的 Rsense 为 4.75/(2*8)= 29.6875 mΩ=约30mΩ。 借助30mΩ 和4.8V VREF、可以实现接近8A 的 Ichop。 使用该电阻器时、VSP_OCP 阈值将为1/0.03 = 33.33A。 请注意、仅当禁用电流调节时才能达到 VSP_OCP。
对于5mΩ FET Rdson、VDS_OCP = 1/0.005 = 200A、这无法达到。 在这种情况下、如果禁用 ICHOP 电流调节、则会在 VDS_OCP 之前达到 VSP_OCP 阈值。 如果启用了 ICHOP 电流调节、则绝不会发生 VSP_OCP。 这不是问题、无需担心。 这也意味着 nFAULT 将不会报告短路情况。 如果需要此报告、我们必须在我们的产品系列中确定适用于该应用的其他器件。
在某些应用中、不使用 Rsense、而将 SP 和 SN 连接到 GND 以禁用电流调节。 在本例中、VDS_OCP 将是唯一的过流保护机制。 但是、如果使用极低的 RDSon FET、并且电源能够提供、那么此电流可能会高得多。 对于该器件、最好使用更高的 Rdson FET 来获得合理水平的 OCP 保护电流。
这就是 DRV8701的预计工作方式。 我希望此说明涵盖了使用此器件进行设计所需的所有信息。 谢谢。
此致、Murugavel